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Eine Electron Beam Ion Trap EBIT bzw Elektronenstrahl Ionenfalle ist eine spezielle Art von Ionenfalle Dieser Typ Falle eignet sich insbesondere fur die Erzeugung und Speicherung hochgeladener Ionen In ihr werden niedriggeladene Ionen eingefangen und durch Stosse mit Elektronen die als Strahl durch die Falle hindurch geschossen werden weiter ionisiert Die niedriggeladenen Ionen entstehen aus durch den Elektronenstrahl fliegenden Atomen In einer EBIT konnen Ionen hoher Ladungszustande erzeugt werden ohne sie wie zum Beispiel in Beschleunigern dazu auf hohe Geschwindigkeiten bringen zu mussen vielmehr bleiben die Ionen praktisch in Ruhe Dies erlaubt die Anwendung verschiedener Spektrometrieverfahren zur Untersuchung der unterschiedlichen Zustande Auch ist dadurch der Aufwand zur Erzeugung der hoch geladenen Ionen im Vergleich zu anderen Methoden relativ gering In einigen Fallen werden anstelle neutraler Atome niedriggeladene Ionen in die Falle injiziert die getrennt erzeugt wurden Eine Electron Beam Ion Source EBIS deutsch Elektronenstrahl Ionenquelle funktioniert sehr ahnlich verzichtet aber auf den vollstandigen Einfang der Ionen Die Teilchen werden hier im Durchflug ionisiert und als Ionenstrahl hinausgefuhrt Ublicherweise wird in diesem Fall auf eine direkte Sichtverbindung zum Erzeugungsort der Ionen verzichtet weshalb sich Elektronenstrahl Ionenquellen nicht zur Spektroskopie eignen Inhaltsverzeichnis 1 Wirkungsprinzip 2 Aufbau 3 Vorteile 4 Anwendung 5 Literatur 6 Weblinks 7 EinzelnachweiseWirkungsprinzip BearbeitenIn einer EBIT werden Ionen durch Elektronenstossionisation erzeugt Dazu wird ein gebundelter intensiver Elektronenstrahl mit wohldefinierter kinetischer Energie im Vakuum auf neutrale Atome geschossen Durch Stosse der Elektronen aus dem Strahl mit Hullenelektronen werden letztere beschleunigt und wenn die ubertragene Energie die Bindungsenergie ubersteigt aus der Hulle des Atoms herausgeschlagen Es entsteht ein positiv geladenes Ion Die Ladung der Elektronen sorgt im Bereich des Strahls fur eine negative Raumladung die die entstandenen positiv geladenen Ionen im Elektronenstrahl einfangt Um in einer EBIT die Bewegung entlang des Elektronenstrahls aus der Falle heraus zu unterbinden wird die Fallenmitte auf ein niedrigeres elektrisches Potential gelegt als die Bereiche weiter aussen Dadurch werden die Ionen vollstandig eingefangen Da der Elektronenstrahl intensiv und stark gebundelt ist und die Ionen im Strahl gehalten werden werden weitere Elektronen aus der Atomhulle entfernt Begrenzt wird dieser Prozess nur durch die Energie des Elektronenstrahls und die Bindungsenergie der verbleibenden Hullenelektronen Dadurch entstehen hochgeladene Ionen Damit die hochgeladenen Ionen nicht mit neutralen Atomen stossen und dadurch teilweise wieder Elektronen einfangen konnen Rekombination wird in einer EBIT ein extrem gutes Vakuum UHV Ultra High Vacuum von typischerweise Bruchteilen eines Billionstels des atmospharischen Druckes benotigt Die Anzahl der in einer EBIT gespeicherten Ionen variiert im Bereich von wenigen Tausenden bis zu mehreren Milliarden Dies ist eine sehr kleine Menge an Materie weniger als ein billionstel Gramm Aufbau Bearbeiten nbsp Prinzipieller Aufbau einer EBIT Rot Elektronenquelle Schwarz Elektroden Grun MagnetWie oben dargelegt wird fur eine EBIT letztlich nur ein stark fokussierter Elektronenstrahl benotigt sowie ein longitudinales elektrisches Feld Um den Elektronenstrahl zu erzeugen wird zumeist eine thermische Elektronenquelle verwendet die auf einem niedrigeren Potential liegt als die nachfolgende Falle Eine Blende nahe dem Fallenpotential beschleunigt die Elektronen Durch die hohe Raumladung der Elektronen wurde sich der Strahl schnell aufweiten daher wird ein haufig supraleitender Magnet eingesetzt dessen Feld entlang der Achse der Falle den Elektronenstrahl einschnurt Am Ende des Weges der Elektronen ist das Magnetfeld schwacher hierdurch weitet sich der Strahl auf Eine grossere Elektrode die auf einem niedrigeren Potential als die Falle liegt jedoch immer noch hoher als die Quelle bremst die Elektronen wieder teilweise ab und sammelt sie auf Kollektor Dieser Kollektor muss im Vakuum gekuhlt werden da die Leistung des Elektronenstrahls fast vollstandig in ihm deponiert wird Aus diesem Grund wird meist auch das den Strahl einschnurende Magnetfeld in diesem Bereich durch eine weitere Magnetspule teilweise kompensiert hierdurch divergiert der Strahl und verteilt seine Leistung auf einer grosseren Flache Dadurch wird der Kollektor entlastet Typische Werte fur den Elektronenstrom sind etwa 150 mA Im Fallenbereich erreicht der Strahl haufig einen minimalen Durchmesser von unter einem Millimeter Die Energie ist wahlbar um den Ionisierungsgrad einstellen zu konnen Typische Werte sind einige tausend Volt Um hohe Ladungszustande bei Atomen mit hoher Ordnungszahl zu erreichen etwa U 92 displaystyle mathrm U 92 nbsp sind wesentlich hohere Spannungen erforderlich bei der Super EBIT des LLNL zum Beispiel 300 kV 1 Um die Ionen am Verlassen der Falle parallel zum Elektronenstrahl zu hindern werden als Driftrohren bezeichnete zylindrische Elektroden verwendet die ein elektrostatisches Potential erzeugen Zum dauerhaften Einfang der Ionen muss dieses Potential im Fallenzentrum niedriger sein als in der unmittelbaren Umgebung Durch eine geeignete Wahl der Spannungen an den Driftrohren lassen sich die Ionen aus der Falle extrahieren um sie anderen Experimenten zur Verfugung zu stellen Soll Spektroskopie betrieben werden dann befinden sich Fenster in der mittleren Driftrohre um Sichtzugang zu den gespeicherten Ionen zu erlauben Fur den Einfang der Ionen werden mindestens drei Driftrohren benotigt Die meisten EBITs besitzen jedoch mehr um komplexere Potentiallandschaften realisieren zu konnen Vorteile BearbeitenEBITs sind kompakte Apparate die zum Teil auf einem Tisch aufgestellt werden konnten und im Vergleich zu den sonst zur Erzeugung hochgeladener Ionen notigen Teilchenbeschleunigern eine fur die meisten Experimente kostengunstige Alternative Dieser Vorteil gegenuber Beschleunigern liegt darin begrundet dass die Ionisation in einer EBIT uber eine langere Zeit schrittweise erfolgen kann und nicht in einem einzigen kurzen Prozess erfolgen muss Bei einer Anordnung mit Permanentmagneten entfallen ausserdem noch aufwendige Kuhlverfahren flussiger Stickstoff flussiges Helium was die Anlage leicht handhabbar macht Jedoch erreichen solche EBITs noch nicht die Leistungen der mit supraleitenden Magneten arbeitenden Gerate weil deren bis zu zehnfach starkeres Magnetfeld mehrere Tesla eine wesentlich starkere Fokussierung des Elektronenstrahls bewirkt Daruber hinaus erzeugen kryogen arbeitende EBITs ein besseres Vakuum wodurch die Rekombination der Ionen durch Ladungsaustausch verlangsamt wird Dies fuhrt zur Moglichkeit der Produktion von hochsten Ladungszustanden wie z B nackter also 92 fach positiv geladener Uran Ionen Ein derart hochgeladenes Ion kann sonst nur an weltweit einigen wenigen Teilchenbeschleunigern produziert werden wie z B beim GSI Helmholtzzentrum fur Schwerionenforschung indem Ionen zuerst auf nahezu Lichtgeschwindigkeit gebracht und dann durch eine dunne Metallfolie geschossen werden Die Elektronen werden an dieser durch Elektron Elektron Stosse praktisch abgestreift man spricht von einer Stripper Reaktion Im Gegensatz zur EBIT werden hier also die Ionen statt der Elektronen beschleunigt Anwendung BearbeitenDie hochgeladenen Ionen in einer EBIT ermoglichen es fur kleinste Mengen von Materie Bedingungen im Labor zu realisieren welche naturlicherweise z B in Sternatmospharen aktiven galaktischen Kernen active galactic nuclei AGN oder Supernovae bei Temperaturen von z T vielen Millionen Grad vorkommen Vorgange die im Plasma von Fusionsreaktoren wie Tokamaks oder Stellaratoren eine wichtige Rolle spielen konnen in EBITs detailliert untersucht werden weil die Ionisationsbedingungen gut kontrolliert werden konnen Dadurch spielen EBITs eine wichtige Rolle in der Spektroskopie von Plasmen bei hohen Temperaturen Die gespeicherten Ionen werden andauernd durch Stosse mit dem Elektronenstrahl elektronisch angeregt Die dabei von den gebundenen Elektronen kurzzeitig gespeicherte Energie wird durch elektronische Ubergange in den energetisch tiefsten nicht angeregten elektronischen Grundzustand in Form von Photonen abgegeben Ahnlich werden auch Photonen bei Rekombinationsprozessen erzeugt wenn ein Ion ein freies Elektron einfangt Diese Photonen konnen recht unterschiedliche Energien haben Durch die hohe Elektronenstrahlenergie werden Rontgenphotonen emittiert aber auch z B solche im ultravioletten oder sichtbaren Bereich Ein hochgeladenes Ion mit einem schweren Kern und nur wenigen Elektronen ist ein durch elektromagnetische Wechselwirkung gebundenes System mit extrem hohen Bindungsenergien Weil es aber nur wenige in manchen Fallen bloss ein einziges Elektron enthalt lasst sich ein solches Gebilde leichter theoretisch beschreiben als ein neutrales Atom bei dem die gegenseitigen Wechselwirkungen der vielen gebundenen Elektronen schwer zu behandeln sind In diesen durch Entfernen der meisten Elektronen vereinfachten Gebilden konnen also extrem hohe Bindungskrafte an einem einzigen Elektron wissenschaftlich untersucht werden Dadurch werden Experimente moglich bei denen die Quantenelektrodynamik gebundener relativistischer Elektronen in einem Bereich erforscht wird in dem diese Theorie die sonst in ihren theoretischen Vorhersagen sehr hohe Genauigkeit aufweist noch unter mathematischen Schwierigkeiten leidet Die Wechselwirkungen von hochgeladenen Ionen mit Atomen in der Gasphase sowie auf Oberflachen sind ein sehr aktives Forschungsgebiet Bei der Annaherung eines hochgeladenen Ions an eine Oberflache entsteht kurzzeitig ein sogenanntes Hohlatom da das Ion versucht seinen Elektronenmangel durch Ansaugen von an der Oberflache reichlich vorhandenen Elektronen sehr schnell zu kompensieren Gesetzmassigkeiten der Quantenmechanik verhindern das sofortige Entstehen eines neutralen Atoms und lassen fur sehr kurze Zeiten diese hoch angeregten Systeme bestehen Untersuchungen dieser Hohlatome haben zur Klarung einiger Fragen der Dynamik der Elektronen an Oberflachen beigetragen Die in einer EBIT erzeugten Ionen konnen auch z B in der Massenspektrometrie im Time of flight Secondary Ion Mass Spectroscopy TOF SIMS Verfahren eingesetzt werden also fur die Materialanalyse Durch die wirtschaftliche Erzeugung von hochgeladenen Kohlenstoffionen erscheint die EBIT auch fur zukunftige medizinische Anwendungen einsetzbar Bestrahlung von Krebstumoren in der Ionentherapie Hier werden bisher Beschleuniger und Speicherringe eingesetzt HCI lassen sich auch in der Nanotechnologie zur Erzeugung von Oberflachenstrukturen im Nanometerbereich einsetzen Verschiedene Anwendungen in diesem Bereich werden zurzeit erprobt Dazu werden Ionen mit einer EBIT EBIS erzeugt und ausserhalb dieser mit wohldefiniertem Ladungszustand und wohldefinierter Energie auf Festkorper Proben geschossen Die dadurch hervorgerufenen Oberflachenveranderungen werden mit bildgebenden Verfahren wie z B Rasterkraftmikroskopie untersucht Literatur BearbeitenRoscoe E Marrs Peter Beiersdorfer Dieter Schneider The Electron Beam Ion Trap Physics Today Oktober 1994 S 27 M A Levine R E Marrs J R Henderson D A Knapp Marilyn B Schneider The Electron Beam Ion Trap A New Instrument for Atomic Physics Measurements Physica Scripta T 22 1988 S 157 R E Marrs M A Levine D A Knapp J R Henderson Measurement of electron impact excitation cross sections for very highly charged ions Physical Review Letters Bd 60 1988 S 1715 R E Marrs S R Elliott D A Knapp Production and Trapping of Hydrogenlike and Bare Uranium Ions in an Electron Beam Ion Trap Physical Review Letters Bd 72 1994 S 4082 P Beiersdorfer A L Osterheld J Scofield J R Crespo Lopez Urrutia K Widmann Measurement of QED and Hyperfine Splitting in the 2s1 2 2p3 2 X Ray Transition in Li like 209Bi Physical Review Letters Bd 80 1998 S 3022 J R Crespo Lopez Urrutia P Beiersdorfer D W Savin K Widmann Direct Observation of the Spontaneous Emission of the Hyperfine Transition F 4 to F 3 in Ground State Hydrogenlike 165Ho66 in an Electron Beam Ion Trap Physical Review Letters Bd 77 1996 S 826 P Beiersdorfer A L Osterheld J Scofield B Wargelin R E Marrs Observation of magnetic octupole decay in atomic spectra Physical Review Letters Bd 67 1991 S 2272 P Beiersdorfer C M Lisse R E Olson G V Brown H Chen X Ray Velocimetry of Solar Wind Ion Impact on Comets Astrophysical Journal Letters Bd 549 2001 L147 S R Elliott P Beiersdorfer M H Chen Trapped Ion Based Technique for Measuring the Nuclear Charge Radii of Highly Charged Radioactive Isotopes Physical Review Letters Bd 76 1996 S 1031 C A Morgan F G Serpa E Takacs u a Observation of Visible and UV Magnetic Dipole Transitions in Highly Charged Xenon and Barium Physical Review Letters Bd 74 1995 S 1716 H P Cheng J D Gillaspy Nanoscale modification of silicon surfaces via Coulomb explosion Physical Review B Bd 55 1997 S 2628 J M Laming I Kink E Takacs u a Emission line intensity ratios in Fe XVII observed with a microcalorimeter on an electron beam ion trap Astrophysical Journal Letters Bd 545 2000 L161 L164 J D Gillaspy JD D C Parks L P Ratliff Masked ion beam lithography with highly charged ions Journal of Vacuum Science and Technology B Bd 16 1998 S 3294 F J Currell J Asada K Ishii u a A new versatile electron beam ion trap Journal of the Physical Society of Japan Bd 65 1996 S 3186 H Kimura N Nakamura H Watanabe u a A scaling law of Cross Sections for multiple electron transfer in slow collisions between highly charged ions and atoms Journal of Physics B Atomic Molecular and Optical Physics Bd 28 1995 L 643Weblinks BearbeitenEBIT Seite des LLNL kurze Einfuhrung englisch Internet Seite der EBIT am MPIK in Heidelberg mit kurzer Einfuhrung Internetseite der Dresden EBIT mit vielen Infos eine Linkliste der weltweiten EBIT Installationen findet sich in Englisch auf der EBIT Seite des NISTEinzelnachweise Bearbeiten nist gov NIST EBIT Introduction Abgerufen von https de wikipedia org w index php title Electron Beam Ion Trap amp oldid 213887730