www.wikidata.de-de.nina.az
Ein Meissner Oszillator oder auch Armstrong Oszillator ist ein ruckgekoppelter Verstarker mit einem frequenzbestimmenden Schwingkreis welcher zur Gruppe der Sinus Oszillatoren zahlt Die Schaltung ist nach ihrem Erfinder Alexander Meissner benannt der sie 1913 von der Gesellschaft fur drahtlose Telegraphie patentieren liess 1 Meissner Oszillator Patentschrift 1 Beim Meissner Oszillator liegt der Schwingkreis am Ausgang des Verstarkerbauteiles Bei der Audion Schaltung von Edwin Howard Armstrong liegt der Schwingkreis am Eingang des Verstarkerbauteiles 2 Inhaltsverzeichnis 1 Aufbau 1 1 Meissner Oszillator mit Bipolartransistor 1 2 Meissner Oszillator mit JFET 2 Dimensionierung 3 Berechnungsbeispiel 4 Anwendungsbeispiele 5 Literatur 6 EinzelnachweiseAufbau BearbeitenDer Oszillator kann mit unterschiedlichen aktiven Bauelementen als Verstarker wie einem Bipolartransistor Feldeffekttransistor oder auch mittels Elektronenrohre realisiert werden Der eigentliche Schwingkreis wird aus einer Spule L2 und einem Kondensator C2 gebildet Zusatzlich wird uber eine zweite Wicklung L1 die wie bei einem Transformator magnetisch mit L2 gekoppelt ist die Spannung am Schwingkreis mit passender Phase zuruckgefuhrt In der ersten Schaltung dient der Bipolartransistor Q als Verstarker in der zweiten Schaltung der Sperrschicht Feldeffekttransistor JFET J1 Meissner Oszillator mit Bipolartransistor Bearbeiten nbsp Schaltschema eines Meissner Oszillators mit BipolartransistorDamit die Schaltung eine ungedampfte Schwingung erzeugt muss die Schleifenverstarkung gleich 1 und die Ruckkopplung in Phase sein 0 oder ein anderes Vielfaches von 360 Da die Meissner Schaltung im Schaltungsbeispiel eine Emitterschaltung ist wird durch den Transistor das Signal invertiert Dies wird durch den Transformator ruckgangig gemacht da L1 und L2 einen entgegengesetzten Wicklungssinn haben in der Schaltung durch die zwei schwarzen Punkte gekennzeichnet die den Wicklungsanfang angeben Die gezeigte erste Schaltung ist eine Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung bei der die Verstarkung gleich dem Verhaltnis von Kollektorwiderstand Wechselstromwiderstand des Schwingkreises und dem Emitterwiderstand R3 ist Da ubliche LC Parallel Schwingkreise ausserhalb der Resonanzfrequenz sehr kleine Widerstande haben ist nur fur die Resonanzfrequenz die Schleifenverstarkung grosser als eins Das Ubersetzungsverhaltnis des Transformators wird so gewahlt dass die Schleifenverstarkung fur den Resonanzwiderstand des LC Kreises sicher grosser als eins ist und die Spannung am Eingang den Transistor nicht ubersteuert Meissner Oszillator mit JFET Bearbeiten nbsp Meissner Oszillator mit JFETIn der JFET Schaltung nach 3 besteht der Schwingkreis aus C1 und Wicklung L1 des Transformators L1 L2 C1 ist oft ein variabler Kondensator Der JFET J1 in Gate Schaltung hat eine Phasenverschiebung von 0 Der Verstarker Eingang ist die Source und der Verstarker Ausgang ist der Drain Der Transformator erzeugt keine Phasenverschiebung Nach dem Einschalten arbeitet der JFET in der Betriebsart Klasse A Die Spannung am Drain des JFET ist ungefahr die Betriebsspannung Eine kleine Anderung der Spannung am Drain des JFET durch das Warmerauschen wird uber L1 L2 und C2 auf die Source gekoppelt Diese kleine Anderung am Eingang wird verstarkt Die Amplitude der Wechselspannung am Schwingkreis steigt bis die Spannung am Drain ungefahr zwischen der Spannung am Source und der doppelten Betriebsspannung oszilliert Der JFET arbeitet nun in der Betriebsart Klasse C Wahrend eines kleinen Stromflusswinkels zu der Zeit der minimalen Drain Spannung arbeitet der JFET im linearen Bereich ohmsche Region Wie lange der JFET im linearen Bereich bleibt wird durch R1 festgelegt Damit das sinusformige Ausgangssignal wenig Oberwellen enthalt sollte der Verstarker nur die Verluste im Schwingkreis und den Abfluss nach RL ausgleichen Aufgrund der Bauteile Toleranzen ist es oft notig R1 einstellbar auszufuhren um beide Ziele sicheres Anschwingen und geringe Oberwellen zu erreichen Der Transformator L1 L2 hat ein Ubersetzungsverhaltnis der Impedanzen von 10 1 Dadurch wirkt der Lastwiderstand RL nur wenig bedampfend auf den Schwingkreis L1 C1 Der Lastwiderstand RL gehort nicht mehr zum Oszillator sondern bildet die Belastung des Oszillator durch die folgenden Stufen nach Die Werte von Lastwiderstand und Gutefaktor sind wichtig fur die Dimensionierung oder die Schaltungssimulation 4 Die HF Drossel L3 verhindert dass der Hochfrequenzstrom von L2 uber C2 und R1 abfliesst Der Widerstand RS symbolisiert den Gutefaktor des unbelasteten Schwingkreises Es ergabe sich ein Gutefaktor von Q 100 Kennwiderstand ist 190 Ohm der jedoch in der Schaltung nicht erreicht wird Bei 30 MHz lasst sich der Transformator mit einem Ringkern aus Eisenpulver realisieren Das RC Glied R2 C3 entkoppelt den Oszillator von anderen Baugruppen Der Kondensator C3 schliesst die Speisespannung hochfrequenzmassig kurz Abblockkondensator und verhindert dadurch unter anderem die Ausbreitung der Hochfrequenz auf der Stromversorgungsleitung Die Ausgangsfrequenz berechnet sich nach der thomsonschen Schwingungsgleichung f 0 1 2 p L 1 C 1 displaystyle f 0 frac 1 2 pi cdot sqrt L 1 cdot C 1 nbsp Dimensionierung BearbeitenWenn Meissner Oszillatoren ungunstig hinsichtlich L C Verhaltnis Arbeitspunkt oder Ubersetzung dimensioniert werden schwingen sie unter Umstanden zwar aber die Schwingung weicht merklich von der Sinusform ab Typischerweise ist die Gesamtverstarkung des Oszillators beim Einschalten etwas grosser als 1 und reduziert sich im Betrieb durch Begrenzung Arbeitspunktverschiebung oder amplitudenabhangige Verstarkung von selbst auf genau 1 Einschwingvorgang Fur die Amplitudenbegrenzung benutzt man beim FET die Eigenschaft dass die Spannungsverstarkung von der Gate Spannung abhangig ist Bei LC Schwingkreisen ist das Verhaltnis von L displaystyle L nbsp zu C displaystyle C nbsp nicht beliebig wahlbar wenn eine hohe Gute erreicht werden soll Aus Resonanzfrequenz und Induktivitat bzw Kapazitat ergibt sich uber den komplexen Widerstand die sogenannte Kennimpedanz bzw der Kennwiderstand des Schwingkreises Sie sollten nur so hoch sein dass die Schaltung den Schwingkreis nicht zu stark dampft Berechnungsbeispiel BearbeitenDie Berechnung bezieht sich auf das Bild mit Bipolartransistor Ein typischer Kleinsignaltransistor hat in dem betrachteten Bereich eine Gleichstromverstarkung B von ungefahr B 100 und eine Basis Emitter Spannung UBE 0 65 V Ferner sei IC 2 mA Kollektorstrom im Arbeitspunkt und UB 15 V Versorgungsspannung der Schaltung Der Spannungsabfall an R3 soll 1 V betragen also R 3 1 V I C 1 V 2 m A 500 W displaystyle R 3 frac 1 mathrm V I C frac 1 mathrm V 2 mathrm mA 500 Omega nbsp Damit muss der Spannungsteiler von R1 und R2 diese 1 V plus die Basis Emitterspannung von ungefahr 650 mV liefern Der Spannungsteiler wird durch den Basisstrom IB IC B 2 mA 100 20 µA belastet nimmt man den zehnfachen Querstrom von 0 2 mA dann kann man den Basisstrom vernachlassigen und erhalt R 2 1 V 0 65 V 0 2 m A 8 2 k W displaystyle R 2 frac 1 mathrm V 0 65 mathrm V 0 2 mathrm mA 8 2 mathrm k Omega nbsp R 1 15 V 1 V 0 65 V 0 2 m A 67 k W displaystyle R 1 frac 15 mathrm V 1 mathrm V 0 65 mathrm V 0 2 mathrm mA 67 mathrm k Omega nbsp Die Spule L1 habe eine Induktivitat 22 mH und der Kondensator C2 sei 33 nF Damit ergibt sich eine Resonanzfrequenz von f 0 1 2 p 22 m H 33 n F 5 9 k H z displaystyle f 0 frac 1 2 pi cdot sqrt 22 mathrm mH cdot 33 mathrm nF 5 9 mathrm kHz nbsp Um den Transistor Q nicht zu ubersteuern und ein gutes Sinussignal zu erzeugen darf die ruckgekoppelte Spannung nicht wesentlich grosser als 1 5 Vpp Spannung Spitze Spitze sein Die Spannung am Schwingkreis ist in Resonanz etwa 28 Vpp Damit ergibt sich eine Untersetzung von 1 18 und fur die Schaltung eine Verstarkung von v 18 fur die der Kollektorwiderstand mindestens 9 kW sein muss inkl Ausgangswiderstand des Transistors von etwa 100 kW Nimmt man als Gutefaktor g 50 an dann ist der Widerstand des LC Kreises bei der Resonanzfrequenz R L C g L C 50 22 m H 33 n F 41 k W displaystyle R LC g cdot sqrt frac L C 50 cdot sqrt frac 22 mathrm mH 33 mathrm nF 41 mathrm k Omega nbsp Das erscheint ausreichend und entspricht einem ohmschen Spulenwiderstand von 16 W Die Koppelkondensatoren C1 und C3 lassen nur die Wechselspannung passieren und verandern nicht den Arbeitspunkt des Transistors C1 arbeitet auf den Eingangswiderstand der Emitterschaltung ca R2 C3 und der Eingangswiderstand der nachfolgenden Stufe belasten bzw verstimmen den Schwingkreis Eine in dieser Hinsicht naheliegende Auskopplung an R3 liefert jedoch selten ein gutes Sinussignal Anwendungsbeispiele BearbeitenDie Meissner Schaltung findet eher selten Anwendung da der Transformator einen erheblichen Aufwand darstellt die Hartley und Colpitts Schaltung in manchen Zusammenhangen auch die Clapp Schaltung werden meist bevorzugt insbesondere wenn nur ein Transistor verwendet werden soll Mit mehreren Transistoren sind weitere Oszillatorschaltungen moglich Bemerkenswert ist die Anwendung der Meissner Schaltung als Peilsender FuG 23 der von der Luftwaffe im Zweiten Weltkrieg eingesetzten Marschflugkorper Fieseler Fi 103 V1 Eine weit verbreitete Anwendung der Meissner Schaltung waren Ruckkopplungs Audion genannte Geradeaus Rundfunkempfanger wie z B die Volksempfanger Hier dient die Mitkopplung nicht der Schwingungserzeugung sondern der Verstarkung des Eingangssignals also der Verbesserung des Rundfunkempfangs Literatur BearbeitenH Barkhausen Lehrbuch der Elektronenrohren und ihrer technischen Anwendungen 3 Band Ruckkopplung Hirzel Leipzig 1951 Andrei Grebennikov RF and Microwave Transistor Oscillator Design Wiley Chichester u a 2007 ISBN 978 0 470 02535 2 Gunter Kurz Wolfgang Mathis Oszillatoren Schaltungstechnik Analyse Eigenschaften Huthig Heidelberg 1994 ISBN 3 7785 2251 5 U Tietze Ch Schenk Halbleiter Schaltungstechnik 12 Auflage Springer Berlin u a 2002 ISBN 3 540 42849 6 O Zinke H Brunswig Hochfrequenztechnik 2 Elektronik und Signalverarbeitung 5 neubearbeitete Auflage Springer Berlin u a 1999 ISBN 3 540 64728 7 Springer Lehrbuch Einzelnachweise Bearbeiten a b Patent DE291604C Einrichtung zur Erzeugung elektrischer Schwingungen Angemeldet am 10 April 1913 veroffentlicht am 23 Juni 1919 Anmelder Gesellschaft fur drahtlose Telegraphie m b H Patent US1113149 Wireless Receiving System Angemeldet am 29 Oktober 1913 Erfinder E H Armstrong Wes Hayward Radio Frequency Design ARRL 1994 ISBN 0 87259 492 0 Kapitel 7 3 Further LC oscillator topics S 283 Paul Falstad Circuit Simulator Applet Abgerufen am 8 Juli 2016 Abgerufen von https de wikipedia org w index php title Meissner Schaltung amp oldid 237910675