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Ein Rasterionenleitfahigkeitsmikroskop englisch scanning ion conductance microscope SICM ist ein Mikroskop das elektrisch nicht leitende Proben mit Hilfe eines Ionenstroms abbildet Das Rasterionenleitfahigkeitsmikroskop wurde 1989 von P K Hansma B Drake O Marti S A Gould und C B Prater entwickelt 1 Raster Ionenleitfahigkeitsmikroskopische Abbildung einer Zellschicht von Kardiomyozyten der Ratte Abbildung aus Miragoli et al J R Soc Interface 2011 2 Inhaltsverzeichnis 1 Messprinzip 1 1 Mathematische Beschreibung 1 2 Bestimmung der Leitfahigkeit 1 2 1 Elimination langsamer Potentialveranderungen 2 Aufbau 3 Messmodi 3 1 Abscannen in konstanter Hohe 3 2 Direct Current Modus DC Modus 3 3 Alternating Current Modus AC Modus 3 4 Backstep oder Hopping Modus 4 Anwendungen 5 Literatur 6 Weblinks 7 EinzelnachweiseMessprinzip BearbeitenAls Messgrosse in der Rasterionenleitfahigkeitsmikroskopie dient die Ionenleitfahigkeit des Bereichs nahe der Offnung einer mit Elektrolytlosung gefullten Glasmikro oder nanokapillare der Sonde die in eine Elektrolytlosung eintaucht in der sich die Probe befindet Durch Anlegen einer Spannung zwischen zwei Metallelektroden von denen sich eine in der Sonde und die andere in der Badlosung befindet fliesst ein Ionenstrom durch die Offnung der Sonde Die Leitfahigkeit des SICMs kann durch die Summe mehrerer Einzelleitfahigkeiten angenahert werden Ist der Abstand zwischen Sondenoffnung und Probe gross im Bereich mehrerer Offnungsdurchmesser der Sonde wird die Leitfahigkeit bzw ihr reziproker Wert der Widerstand von der Leitfahigkeit uber die Sondenspitze und die Sondenoffnung dominiert Bei Abstanden zwischen Sonde und Probe im Bereich des Offnungsdurchmessers der Sonde kommt es dazu dass im Bereich direkt vor der Sondenoffnung die isolierende Probenoberflache den Ionenstrom beeinflusst und die Leitfahigkeit in diesem Bereich verringert Diese sogenannte Leck Leitfahigkeit ist abhangig vom Abstand zwischen Sonde und Probe und ausserdem deutlich geringer als die anderen Leitfahigkeiten so dass eine Bestimmung der Gesamtleitfahigkeit des Systems eine gute Naherung fur die der Leck Leitfahigkeit darstellt die genutzt wird um den Abstand zwischen Probe und Sonde zu bestimmen Mathematische Beschreibung Bearbeiten nbsp Skizze einer typischen SICM Kapillare inklusive der im Text verwendeten Bezeichnungen der geometrischen ParameterUblicherweise kommen in der SICM ausgezogene Glaskapillaren als Sonde zum Einsatz die als konisch zulaufende Hohlspitzen angenahert werden konnen Basierend auf Analysen des Raster Elektrochemiemikroskops 3 kann der Widerstand RS displaystyle R mathrm S nbsp der Sonde als RS 1k Lpr0ri displaystyle R mathrm S frac 1 kappa cdot frac L pi r 0 r i nbsp angenahert werden 4 wobei k displaystyle kappa nbsp die spezifische Leitfahigkeit des verwendeten Elektrolyten bezeichnet L displaystyle L nbsp die Lange des spitz zulaufenden Bereichs und r0 displaystyle r 0 nbsp und ri displaystyle r i nbsp den Offnungsradius des oberen und unteren Endes der Kapillare vergleiche auch die Abbildung rechts Der abstandsabhangige Leckwiderstand RL d displaystyle R mathrm L d nbsp kann in einfacher Naherung als RL d 1k 3 2ln ra ri pd displaystyle R L d frac 1 kappa cdot frac 3 2 ln r mathrm a r mathrm i pi d nbsp betrachtet werden 4 d displaystyle d nbsp bezeichnet hier den Abstand zwischen Sondenoffnung und Oberflache Der Ionenstrom im SICM kann als Summenstrom uber diese beiden Widerstande angesehen und uber das ohmsche Gesetz angenahert werden I d URS RL d displaystyle I d frac U R mathrm S R mathrm L d nbsp Da die Leitfahigkeit eines SICMs durch Strom oder Widerstandsmessung bestimmt werden kann siehe Bestimmung der Leitfahigkeit wird im Weiteren der Widerstand betrachtet der uber das ohmsche Gesetz mit Strom und Spannung verknupft ist und daher beide Methoden beschreibt Der abstandsabhangige Widerstand des SICMs ist demnach R d RS RL d displaystyle R d R mathrm S R mathrm L d nbsp Fur die meisten bildgebenden Untersuchungen ist die Kenntnis des absoluten Werts des Widerstandwerts nicht notwendig interessant ist das Verhaltnis des Widerstands im Vergleich zum Widerstand des Systems bei grossem Abstand zwischen Sonde und Probe Da fur grosse Abstande RL displaystyle R mathrm L nbsp gegen null geht ergibt sich fur den Widerstand R displaystyle R infty nbsp bei unendlichem Abstand zwischen Probe und Sonde R RS displaystyle R infty approx R mathrm S nbsp Setzt man den aktuellen Widerstand ins Verhaltnis zu R displaystyle R infty nbsp bildet also den normierten Widerstand Rn displaystyle R mathrm n nbsp vereinfacht sich die Beschreibung des Widerstands im SICM zu R d R Rn d 1 RL d RS 1 32 ln ra ri r0 riL 1d displaystyle frac R d R infty R mathrm n d 1 R mathrm L d R mathrm S 1 frac 3 2 cdot frac ln r mathrm a r mathrm i cdot r 0 cdot r mathrm i L cdot frac 1 d nbsp nbsp Darstellung des Verlaufs des normierten Widerstands in Abhangigkeit vom Abstand zwischen probe und Sonde Alle Grossen sind als Vielfache des Sondendurchmessers aufgetragen um unabhangig vom tatsachlichen Sondendurchmesser zu sein Da sich die geometrischen Parameter der Messsonde wahrend einer Messung nicht andern kann man diese in einer Geratekonstante C displaystyle C nbsp zusammenfassen so dass Rn d 1 Cd displaystyle R mathrm n d 1 frac C d nbsp erhalten wird Da ublicherweise die zu Glaskapillaren ausgezogenen Glaser laut Herstellerangaben ein konstantes Verhaltnis von Innen zu Aussendurchmesser aufweisen fliesst bei gleicher Lange L displaystyle L nbsp der Offnungsradius der Sonde linear in den Parameter C displaystyle C nbsp ein Obige Gleichung beschreibt eine asymptotische Annaherung von 1 displaystyle 1 nbsp fur d displaystyle d rightarrow infty nbsp gegen unendlich fur d 0 displaystyle d rightarrow 0 nbsp bei der die Krummung der Asymptote durch den Parameter C displaystyle C nbsp gegeben ist Oben beschriebene Zusammenhange stellen lediglich Annaherungen aufgrund geometrischer Uberlegungen dar Aktuelle Untersuchungen nahern sich der Beschreibung des SICMs uber Finite Elemente Simulationen 5 Es zeigt sich dass oben beschriebene Zusammenhange nur fur vereinfachte Probengeometrien zutreffen 6 7 Bestimmung der Leitfahigkeit Bearbeiten Gemass dem ohmschen Gesetz berechnet sich die Leitfahigkeit als Quotient angelegter Spannung und dem gemessenen Strom Daraus ergeben sich zwei Moglichkeiten die Leitfahigkeit eines SICMs in Abhangigkeit vom Abstand zwischen Probe und Sonde zu bestimmen Unter Verwendung einer konstanten Spannung wird der Strom gemessen der fliesst Die in diesem Fall vorliegende Verwendung des Stroms als Messsignal bei konstanter Spannung ist aus der Elektrochemie als Amperometrie bekannt in der Elektrophysiologie ist die Bezeichnung Spannungsklemme gebrauchlich englisch voltage clamp Alternativ kann die an den verwendeten Metallelektroden anliegende Spannung so moduliert werden dass ein konstanter Strom fliesst In diesem Fall ist die Spannung und nicht der Strom die Messgrosse Dieses Messverfahren ist in der Elektrochemie als Voltammetrie bekannt in der Elektrophysiologie spricht man von Stromklemme englisch current clamp Elimination langsamer Potentialveranderungen Bearbeiten Als Metallelektroden werden in SICMs haufig Silber Silberchlorid Elektroden Ag AgCl Elektroden verwendet als Elektrolytlosungen werden insbesondere um lebende Zellen abzubilden physiologische Salzlosungen benutzt Im Allgemeinen werden die Potentiale an den Grenzflachen von Ag AgCl Elektrode und Elektrolyt als konstant angenommen In der Praxis andern sich diese Potentiale jedoch langsam was Anderungen in der Leitfahigkeit des SICMs zur Folge hat die wiederum die Bestimmung der Leck Leitfahigkeit beeintrachtigen Um SICM Messungen unabhangig von langsamen Potentialveranderungen durchzufuhren wurden Strom bzw Spannungspulse konstanter Grosse anstelle eines konstanten Stroms bzw einer konstanten Spannung appliziert 8 Die Hohe des resultierenden Spannungs bzw Strompulses ist unabhangig von Potentialanderungen an den Metallelektroden und dient als Messgrosse Eine weitere Methode Beeintrachtigungen durch Potentialdrift an den Metallelektroden zu minimieren ist die wiederholte Bestimmung der Leitfahigkeit des SICMs bei grossem Abstand zwischen Probe und Sonde wahrend einer Messung 9 Hierdurch wird bei der Bestimmung der Leckleitfahigkeit die veranderte Basisleitfahigkeit berucksichtigt so dass die fehlerhafte Detektion von Leitfahigkeitsanderungen aufgrund von langsamen Potentialanderungen anstelle von Anderungen des Abstands zwischen Probe und Sonde vermieden wird Aufbau Bearbeiten nbsp Skizze eines typischen SICM AufbausEin SICM besteht aus der Messsonde sowie einem zugehorigen Messverstarker der einen hohen Eingangswiderstand aufweisen muss um den Stromfluss uber den Widerstand der Messsonde ublicherweise von wenigen bis zu einigen hundert Megaohm messen zu konnen Je nach Art der Leitfahigkeitsbestimmung kommt entweder ein Potentiostat voltage clamp oder ein Galvanostat current clamp zum Einsatz Die Sonde und die Probe sind so angebracht dass sie relativ zueinander in alle drei Raumrichtungen zu bewegen sind was durch piezoelektrische Aktoren erreicht wird Es sind sowohl SICMs beschrieben bei denen die Sonde 8 10 oder die Probe 11 in alle drei Raumrichtungen beweglich ist als auch solche bei denen die Sonde vertikal und die Probe lateral bewegt werden kann 12 Um eine manuelle Vorpositionierung und auswahl der Probe zu ermoglichen sind SICMs ublicherweise auf inversen Lichtmikroskopen aufgebaut Der Aufbau ahnelt somit dem eines elektrophysiologischen Messstands wie er bspw fur Patch Clamp Messungen verwendet wird Messmodi Bearbeiten nbsp Unterschiedliche Betriebsmodi fur SICM Abbildung aus Happel et al Sensors 12 2012 13 Seit der Entwicklung des ersten SICMs wurde die Methodik durch weitere Mess oder Betriebsmodi verbessert Im Gegensatz zur oben erlauterten Elimination langsamer Potentialdrifts unterscheiden sich die im Folgenden erlauterten Betriebsmodi darin wie die Sonde uber die Probe gefuhrt wird Abscannen in konstanter Hohe Bearbeiten In diesem Modus wird die Messsonde bei einer konstanten vertikalen Position uber die Probe bewegt Der Abstand zwischen Sonde und Probe wird dabei durch die ermittelte Leitfahigkeit bestimmt Wie in der Abbildung des normierten Widerstand gegen den Abstand von Sonde und Probe ersichtlich wird ist eine Veranderung der Leitfahigkeit nur im Bereich einiger weniger Sondendurchmesser zu registrieren der zusatzlich durch das Messrauschen eingeschrankt wird Aus diesem Grund konnen mit diesem Messmodus nur Proben untersucht werden deren Oberflache nur geringe Hohenunterschiede aufweist Grossere Hohenunterschiede konnen entweder nicht detektiert werden wenn der Abstand zwischen Sonde und Probe zu gross wird oder aber fuhren dazu dass die Sonde seitlich in die Probe fahrt wenn die Probe hoher ist als die vertikale Position der Sonde Direct Current Modus DC Modus Bearbeiten Im Direct Current Modus DC Modus wird die Sonde zuerst soweit an die Probe angenahert bis eine vorgegebene Widerstandsanderung erreicht wird Daraufhin wird die Sonde seitlich uber die Probe bewegt wobei der Widerstand des Systems direkt als Ruckkopplungssignal verwendet wird um die vertikale Sondenposition zu verandern Die Sonde fahrt die Probe also in konstantem Abstand ab weshalb dieser Modus auch engl constant distance mode genannt wird Alternating Current Modus AC Modus Bearbeiten Dieser Modus ahnelt dem DC Modus Zusatzlich wird in diesem Modus die Position der Probenspitze um einige Nanometer und mit einigen Kilohertz moduliert wodurch bei einem ausreichend geringen Abstand zwischen Probe und Sondenspitze ein ebenfalls sinusformiges Messsignal entsteht Als Ruckkopplungssignal dient in diesem Modus die Amplitude des Messsignals Die Amplitudenanderung ist im Vergleich zur direkten Anderung des Stroms im DC Modus steiler so dass die Probe in grosserem Abstand detektiert werden kann 14 15 Backstep oder Hopping Modus Bearbeiten Der grundlegende Unterschied dieses Messmodus im Vergleich zu den oben genannten ist dass dieser Modus Bildpunkt fur Bildpunkt operiert wohingegen die o g Modi Bildzeile fur Bildzeile arbeiten Nach der erfolgten Annaherung der Messsonde an die zu untersuchende Probe wird die Sonde eine gewisse Strecke zuruck gezogen und erst im Anschluss lateral positioniert und erneut an das Messobjekt angenahert Diese Methodik erlaubt die Aufnahme von Objekten mit abrupt auftretenden grossen Hohenunterschieden Da jedoch fur jeden aufzunehmenden Bildpunkt eine komplette Annaherung an die Probe durchgefuhrt werden muss ist dieser Messmodus im Vergleich zu den o g erheblich langsamer Einige Verbesserungen der zeitlichen Auflosung wurden dadurch erreicht dass nach einer ersten Aufnahme der Probe mit geringer Auflosung in einer anschliessenden hoher aufgelosten Messung die Strecke die die Messsonde zuruck gezogen wird angepasst wurde 16 9 Die Bezeichnung dieses Messmodus in der Literatur ist nicht einheitlich Unter dem Namen backstep mode wurde er zuerst 2002 verwendet 8 Die in dieser Publikation demonstrierte laterale Auflosung entsprach jedoch ungefahr der von herkommlichen Lichtmikroskopen Die ersten Aufnahmen in diesem Modus die eine Auflosung deutlich unterhalb der Beugungsgrenze boten 9 verwendeten die Bezeichnung hopping ion conductance microscopy bzw hopping mode Kombinationen aus SICM und raster elektrochemischer Mikroskopie benutzen den Begriff standing approach mode 17 Anwendungen Bearbeiten nbsp Elektrophysiologische Messungen an dendritischen Spines mit Hilfe der SICM Aus Novak et al Neuron 2013 18 Es sind mehrere Ubersichtsartikel erschienen die die Moglichkeiten und Anwendungen des SICMs vorstellen 13 19 20 21 Da die SICM im Vergleich zu anderen sondenmikroskopischen Methoden wie der Rasterkraftmikroskopie die Probe weniger belastet 22 eignet sie sich insbesondere zur mehrfachen Bestimmung der Topographie auch lebender Zellen uber einen langeren Zeitraum hinweg Sie ermoglicht dabei zusatzlich die Bestimmung des Zellvolumens sowohl von Zellen die einen dichten Zellrasen ausbilden 23 als auch fur einzelne Zellen die beispielsweise wahrend der Zellmigration 24 25 oder des Zellwachstums 26 ihre Position uber einen langeren Zeitraum verandern Daruber hinaus ermoglicht die Applikation eines Drucks durch die Messsonde die Bestimmung des Elastizitatsmoduls lebender Zellen 26 27 Ausserhalb der Lebenswissenschaften kann die SICM dazu verwendet werden die lokale Ladung von Oberflachen abzubilden 28 oder gezielt Molekule zu einer Struktur auf einer Oberflache abzuscheiden 29 Die SICM kann mit unterschiedlichen anderen Techniken kombiniert werden So ermoglichte die SICM in Kombination mit konfokaler Fluoreszenzmikroskopie die Lokalisierung ATP abhangiger Kaliumkanale in der Zellmembran 30 das Auffinden eines Mechanismus fur das Abschnuren der Vesikel bei der Clathrin vermittelten Endocytose 31 und eines Mechanismus zur Endozytose von Nanopartikeln 32 In Kombination mit Forster Resonanzenergietransfer Messungen erlaubte es SICM zu zeigen dass sich die Verteilung des b2 adrenergen Rezeptors in gesunden Zellen und Herzinsuffizienz Zellmodellen unterscheidet 33 Aufgrund der apparativen und technischen Ahnlichkeit zu elektrophysiologischen Messaufbauten wurde SICM mit Patch clamp Messungen kombiniert 34 Durch das kontrollierte Abbrechen der Messsonde ist es moglich zuerst hochauflosend die Topographie von Nervenzellen aufzunehmen und im Anschluss von subzelluklaren Strukturen wie dendritischen Spines elektrophysiologisch abzuleiten 18 Literatur BearbeitenAndrew I Shevchuk u a An alternative mechanism of clathrin coated pit closure revealed by ion conductance microscopy In The Journal of Cell Biology Band 197 Nr 4 14 Mai 2012 S 499 508 doi 10 1083 jcb 201109130 PMID 22564416 Der Artikel ist inzwischen frei verfugbar und enthalt einige kurze Videos von SICM Aufnahmen in Kombination mit Fluoreszenzaufnahmen zur Endozytose Weblinks BearbeitenVideo der unterschiedlichen Scan Modi des SICM Einzelnachweise Bearbeiten P K Hansma B Drake O Marti S A Gould C B Prater The scanning ion conductance microscope In Science Band 243 Nr 4891 3 Februar 1989 ISSN 0036 8075 S 641 643 doi 10 1126 science 2464851 M Miragoli A Moshkov P Novak A Shevchuk V O Nikolaev I El Hamamsy C M Potter P Wright S H Kadir A R Lyon J A Mitchell A H Chester D Klenerman M J Lab Y E Korchev S E Harding J Gorelik Scanning ion conductance microscopy a convergent high resolution technology for multi parametric analysis of living cardiovascular cells In Journal of the Royal Society Interface Band 8 Nr 60 Juni 2011 S 913 925 doi 10 1098 rsif 2010 0597 PMID 21325316 Allen J Bard Fu Ren F Fan Juhyoun Kwak Ovadia Lev Scanning electrochemical microscopy Introduction and principles In Analytical Chemistry Band 61 Nr 2 Januar 1989 ISSN 0003 2700 S 132 138 doi 10 1021 ac00177a011 a b H Nitz J Kamp H Fuchs A Combined Scanning Ion 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