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Die Rotationsbeschichtung engl spin coating auch spin on ist in der Halbleiter und Mikrosystemtechnik ein Verfahren zum Auftragen dunner und gleichmassiger Schichten bzw Filme auf einem Substrat Zum Aufschleudern eignen sich alle in Losung vorliegenden Materialien wie z B der bei der Fotolithografie verwendete Fotolack engl resist Schema der Rotationsbeschichtung Inhaltsverzeichnis 1 Prozessablauf 2 Verwendung 3 Literatur 4 Weblinks 5 EinzelnachweiseProzessablauf Bearbeiten nbsp Rotationsbeschichtung eines Wafers mit einem Fotolack Das Substrat oft ein Wafer wird auf einem Drehteller dem Chuck mittels Vakuumansaugung an der Unterseite fixiert Mit einer Dosiereinrichtung uber dem Zentrum des Wafers wird die gewunschte Menge der Losung aufgebracht Beschleunigung Enddrehzahl und Zeit werden am Spin coater eingestellt und die Losung wird gleichmassig uber die Waferoberflache verteilt Eventuell uberschussiges Material wird vom Wafer abgeschleudert Typischerweise werden Polymerlosungen verwendet wobei auch die molare Masse deren Verteilung und Viskositat einen direkten Einfluss auf die Schichtdicke haben Details Modelle und nutzliche Gleichungen siehe 1 Um eine feste Schicht zu erhalten ist es notwendig das Losungsmittel zu entfernen Ein Teil des Losungsmittels verfluchtigt sich schon beim Aufschleudern Dies kann durch einen beheizten Chuck oder durch anschliessendes Ausheizen Tempern Soft Bake erhoht werden Verwendung Bearbeiten nbsp Rotationsbeschichtungsanlagen fur den Photolackauftrag unter photochemisch unwirksamer Beleuchtung Gelblicht In der Halbleitertechnik sind Schichtdicken von bis zu 5 µm und darunter ublich Nach der fotolithografischen Strukturierung werden sie in der Regel als Maskierungsschicht genutzt und die genaue Dicke wird entsprechend den Anforderungen hinsichtlich Strukturierbarkeit Strukturgrossen und Aspektverhaltnisse so wie der nachfolgenden Bearbeitung ab z B flache oder tiefe Ionenimplantation oder der Tiefe einer Plasmaatzung In der Mikrosystemtechnik werden auch hohere Strukturen benotigt In diesem Bereich werden Schichtdicken bis in den Millimeterbereich in einem oder mehreren Prozessschritten aufgebaut da die herzustellenden Strukturen haufig mithilfe des Fotolacks z B durch galvanische Verfahren erstellt werden Des Weiteren wird das Verfahren in diesem Bereich auch zum Auftrag von Antireflexionsbeschichtungen z B silicon containing anti reflective coating SiARC organischen Planarisierungsschichten engl organic planarization layer OPL und Korrosios bzw Verkapselungsschichten z B aus Imiden eingesetzt Rotationsbeschichtung wird daruber hinaus in der Biologie verwendet um auf Substraten fur die Zellkultur oder Mikroskopie etwa Objekttrager oder Deckglaser die Zelladhasion zu erhohen Eine typische Beschichtung ist Poly D Lysin Literatur BearbeitenK Norrman A Ghanbari Siahkali N B Larsen Studies of spin coated polymer films In Annual Reports Section C Physical Chemistry Band 101 2005 S 174 201 doi 10 1039 b408857n frei zuganglich Weblinks BearbeitenSpin coating process PDF 219 kB Nicht mehr online verfugbar Columbia University Center for Integrated Science and Engineering S 6 archiviert vom Original am 8 Mai 2014 abgerufen am 15 Marz 2014 englisch Einzelnachweise Bearbeiten Dirk W Schubert Thomas Dunkel Spin coating from a molecular point of view its concentration regimes influence of molar mass and distribution In Materials Research Innovations 7 2003 S 314 321 doi 10 1007 s10019 003 0270 2 Abgerufen von https de wikipedia org w index php title Rotationsbeschichtung amp oldid 228371171