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Die Photoelektronenbeugung oft mit PED PhD oder auch XPD englisch X ray photoelectron diffraction abgekurzt ist eine Methode aus der Gruppe der Photoelektronenspektroskopie PES Sie wird unter anderem zur Strukturbestimmung von kristallinen Oberflachen oder zur Untersuchung der raumlichen Lage von Adsorbaten auf Oberflachen eingesetzt Inhaltsverzeichnis 1 Messprinzip 2 Anwendungen 3 Vergleich mit komplementaren Techniken 4 LiteraturMessprinzip Bearbeiten nbsp Prinzip der PhotoelektronenbeugungGrundlage des Messverfahrens ist die Photoelektronenspektroskopie PES Dabei wird gemessen wie die Intensitat der Photoelektronen vom Winkel der Elektronenemission abhangt Allerdings liegt hier nicht wie bei der winkelabhangigen Photoelektronenspektroskopie der Fokus auf dem Impuls des Photoelektrons sondern die Interferenz der Wellenfunktion des Photoelektrons In Abhangigkeit von Emissionsrichtung und kinetischer Energie des Photoelektrons findet man Intensitatsunterschiede Modulationen genannt Diese Intensitatsmodulationen entstehen durch konstruktive und destruktive Interferenz zwischen der Elektronenwelle die den Detektor auf direktem Weg erreicht Referenzwelle und solchen die aus ein oder mehrfach an der Umgebung des emittierenden Atoms elastisch gestreuten Wellen Objektwellen auftreten Die Gangunterschiede und Intensitaten der einzelnen Wellen hangen von der geometrischen Anordnung und der Art der Nachbaratome ab Bei einer ausreichenden Anzahl von gemessenen Intensitaten lasst sich aus den Modulationen die geometrische Struktur bestimmen indem die experimentell gemessenen Modulationen mit entsprechenden Simulationen verglichen werden Bei inelastisch gestreuten Wellen fehlt die feste Phasenbeziehung zur Referenzwelle deswegen tragen sie nicht zur Interferenz bei Da die Streuung der Elektronen vor allem bei hohen Energien in Vorwartsrichtung am starksten ist kann man im einfachsten Fall die Streuung der Elektronen an den Atomen unterhalb des ionisierten Atoms vernachlassigen Bei der Streuung an den Atomen weiter oben werden die Photoelektronen in Richtung dieser Atome fokussiert Vorwarts Fokussierung Anwendungen BearbeitenDie einfachsten Anwendungen beruhen auf der Vorwarts Fokussierung durch Atome oberhalb des photoionisierten Atoms Damit lasst sich bestimmen ob bestimmte Atome unmittelbar an der Oberflache oder tiefer sitzen und bei adsorbierten Molekulen ob oberhalb einer Atomsorte noch andere Atome und in welcher Richtung sitzen Mittels der XPD kann die kristallographische Struktur von Metall und Halbleiteroberflachen bestimmt werden Ausserdem erhalt man Informationen uber die raumliche Lage von Molekulen auf Oberflachen der Bindungslangen und Bindungswinkel Vergleich mit komplementaren Techniken BearbeitenIm Vergleich zu anderen Techniken zur Bestimmung von Strukturen an Oberflachen ist Photoelektronenbeugung unabhangig von langreichweitiger Ordnung es muss also keine perfekt geordnete Oberflache vorhanden sein im Gegensatz zu Beugungsmethoden mit Wellen die von aussen einfallen wie LEED chemisch spezifisch d h es kann die Umgebung einer Atomsorte gezielt untersucht werden im Gegensatz zu SEXAFS konnen oft auch Atome des gleichen Elements aber mit unterschiedlichen Bindungspartnern einzeln erfasst werden durch Ausnutzen der chemischen Verschiebung engl chemical shift also kleiner Energieunterschiede der Photoelektronen fur vollstandige Strukturuntersuchungen experimentell aufwandig weil dafur die Rontgenenergie variiert werden muss und dazu monochromatisierte Synchrotronstrahlung eines Elektronenspeicherrings benotigt wird es mussen auch sehr viele Spektren gemessen werden wenn auch nur in einem kleinen Energiebereich der dem untersuchten Rumpfniveau entspricht Auch die Simulationsrechnungen sind aufwandig weil die Elektronen mehrmals gestreut werden konnen und daher sehr viele verschiedene mogliche Wege der Elektronen berucksichtigt werden mussen Literatur BearbeitenBrent D Hermsmeier XPD and AED X Ray Photoelectron and Auger Electron Diffraction In C R Brundle Charles A Evans Shaun Wilson Hrsg Encyclopedia of materials characterization surfaces interfaces thin films Gulf Professional Publishing 1992 ISBN 978 0 7506 9168 0 S 240 252 eingeschrankte Vorschau in der Google Buchsuche Karl Michael Schindler Photoelektronenbeugung In Chemie in unserer Zeit Band 30 Nr 1 1996 S 32 38 doi 10 1002 ciuz 19960300106 Abgerufen von https de wikipedia org w index php title Photoelektronenbeugung amp oldid 191471219