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Der Schottky Effekt bewirkt die Verringerung der Austrittsarbeit fur Elektronen an einer Metalloberflache durch eine hohe elektrische Feldstarke im Aussenraum Dieser Effekt tritt bei Gluhkathoden Metall Vakuum Grenzflache und auch bei Schottky Kontakten Metall Halbleiter Kontakten wie in den Schottky Dioden auf Der Effekt wurde nach dem deutschen Physiker Walter Schottky benannt Erklarung Bearbeiten nbsp Verringerte Austrittsarbeit durch den Schottky Effekt Die obere Kurve ist das Bildkraftpotential das sich dem Vakuumniveau asymptotisch nahert Der Abstand des Vakuumpotentials vom Fermi Niveau EF im Metall ist die ursprungliche Austrittsarbeit Die untere Kurve ist die Summe aus dem Bildkraftpotential und dem linear abfallenden Potential eines ausseren homogenen Feldes Die Hohe des sich ergebenden Maximums uber EF ist die verminderte Austrittsarbeit Der Einfachheit halber wird zuerst eine Metalloberflache im Vakuum betrachtet Ein Elektron in Entfernung x displaystyle x nbsp induziert eine positive Ladung an der Metalloberflache Die anziehende Kraft zwischen der induzierten Ladung und dem Elektron entspricht genau der Kraft zwischen dem Elektron und einer gleich grossen positiven Spiegelladung bei x displaystyle x nbsp und wird Spiegel oder Bildkraft genannt F x e 2 4 p e 0 2 x 2 displaystyle F x frac e 2 4 pi varepsilon 0 2x 2 nbsp Mit e 0 displaystyle varepsilon 0 nbsp der Dielektrizitatskonstanten Die Potenzielle Energie des Elektrons ergibt sich aus der Arbeit W displaystyle W nbsp die verrichtet werden muss um das Elektron von displaystyle infty nbsp bis nach x displaystyle x nbsp zu bringen E Bild x W x x F x d x e 2 16 p e 0 1 x displaystyle E text Bild x W x int infty x F x dx frac e 2 16 pi varepsilon 0 cdot frac 1 x nbsp Die Arbeit ist negativ denn die anziehende Kraft zwischen Elektron und Spiegelladung wirkt in Richtung der Integration Ein linearer Potentialverlauf aus einem homogenen Feld E displaystyle E nbsp im Aussenraum uberlagert sich dem Bildkraftpotential zu E p o t x e 2 16 p e 0 1 x e E x displaystyle E mathrm pot x frac e 2 16 pi varepsilon 0 cdot frac 1 x eEx nbsp Falls das externe Feld sehr stark ist fuhrt es schon innerhalb der kurzen Reichweite der Spiegelkraft zu einer Absenkung des Potentials Mit steigender Feldstarke ruckt das Maximum des Potentialverlaufs dichter an die Oberflache heran x m a x e 16 p e 0 E displaystyle x mathrm max sqrt frac e 16 pi varepsilon 0 E nbsp und sinkt dabei ab um D W e 3 E 4 p e 0 displaystyle Delta W sqrt frac e 3 E 4 pi varepsilon 0 nbsp Fur ein elektrisches Feld der Starke E 10 7 V m displaystyle E 10 7 mathrm V mathrm m nbsp ergibt das x m a x 6 n m displaystyle x mathrm max approx 6 mathrm nm nbsp und D W 0 12 e V displaystyle Delta W approx 0 12 mathrm eV nbsp was die Stromstarke der Schottky Emission siehe Edison Richardson Effekt bei 1000 Kelvin etwa vervierfachen wurde Allgemein erhoht der Schottky Effekt die Stromstarke der Gluhemission um den Faktor e D W k B T displaystyle mathrm e Delta W k mathrm B T nbsp Fur hohere Feldstarken als E 10 8 V m displaystyle E 10 8 mathrm V mathrm m nbsp muss der Tunneleffekt berucksichtigt werden denn die Breite der Barriere ist dann nicht mehr gross gegen die Wellenlange der Elektronen Bei E 10 9 V m displaystyle E 10 9 mathrm V mathrm m nbsp ist der Tunnelstrom selbst bei kalter Elektrode betrachtlich siehe Feldemission Das obige Prinzip gilt auch an Metall Halbleiter Grenzschichten Das aussere Feld existiert in diesem Fall selbst mit kurzgeschlossenen Anschlussen namlich durch die Raumladungszone im Halbleitermaterial dessen Dielektrizitatskonstante in den Formeln zu berucksichtigen ist Abgerufen von https de wikipedia org w index php title Schottky Effekt amp oldid 221012302