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Unter der Versetzungsdichte r versteht man die Gesamtlange aller Versetzungslinien pro Volumeneinheit in einem kristallinen Festkorper Sie hat die Einheit m m 3 m 2 displaystyle mathrm frac m m 3 m 2 Durch eine erhohte Versetzungsdichte wird in einem Metall die Festigkeit s displaystyle sigma erhoht vgl Kaltverfestigung s r displaystyle sigma propto sqrt rho sowie das Umformvermogen und die elektrische Leitfahigkeit verringert Beispiel Die Versetzungsdichte in speziell gezuchteten Kupfereinkristallen betragt etwa 108 m m und kann bei starker Verformung bis auf etwa 1015 m m ansteigen Inhaltsverzeichnis 1 Messung 1 1 Direkte Methoden 1 1 1 Versetzungsatzen EPD Bestimmung 1 1 2 TEM 1 1 3 Infrarot Lichtmikroskopie 1 2 Indirekte Methoden 2 Literatur 3 Siehe auch 4 WeblinksMessung BearbeitenDirekte Methoden Bearbeiten Versetzungsatzen EPD Bestimmung Bearbeiten Die alteste bekannte Moglichkeit zur Sichtbarmachung von Versetzungen und Bestimmung ihrer Dichte besteht darin die betreffenden Kristalle zu atzen Dabei werden Atome aus dem Spannungsfeld von oberflachennahen Versetzungen leichter herausgelost Es entstehen so genannte Atzgrubchen deren Dichte in einem Lichtmikroskop gezahlt werden kann Die sich dabei ergebende etch pit density engl Atzgrubendichte kurz EPD ist vor allem in der Halbleiterindustrie ein Mass fur die Qualitat von Halbleiter Wafern Silizium Wafer fur die Mikroelektronik oder Epitaxie haben fur gewohnlich eine relativ geringe Atzgrubendichte von lt 103 cm 2 wahrend beispielsweise GaAs Wafer in der Grossenordnung 105 cm 2 liegen Die Bestimmung der etch pit density ist geregelt in DIN 50454 1 und ASTM F 1404 TEM Bearbeiten Das Spannungsfeld um Versetzungen kann im Transmissionselektronenmikroskop TEM auch direkt sichtbar gemacht werden Damit ist auch eine Bestimmung der Versetzungsdichte uber Bildauswerteverfahren moglich Da das in einem Bild beobachtbare Volumen jedoch sehr klein ist ergibt sich ein hoher Aufwand Infrarot Lichtmikroskopie Bearbeiten Bei Halbleitern kann die Versetzungsdichte auch mit speziellen Lichtmikroskopen die mit IR Licht arbeiten bestimmt werden Viele Halbleiter sind in diesem Spektralbereich transparent die Versetzungslinien werden sichtbar und konnen gezahlt werden Indirekte Methoden Bearbeiten Die Versetzungsdichte kann auch mit Beugungsmethoden bestimmt werden Die am haufigsten verwendete Methode ist dabei die rontgenographische Profilanalyse die die Profilverbreiterung von Rontgenpeaks infolge der integralen Gitterverzerrung im Umfeld der Versetzungen misst Literatur BearbeitenGunter Gottstein Physikalische Grundlagen der Materialkunde 2 Auflage Springer Verlag Berlin Heidelberg 2001 ISBN 978 3 540 41961 7 Bernhard Ilschner Robert F Singer Werkstoffwissenschaften und Fertigungstechnik 3 Auflage Springer Verlag Berlin Heidelberg 2002 ISBN 978 3 540 67451 1 Gunter Gottstein Materialwissenschaft und Werkstofftechnik 4 Auflage Springer Verlag Berlin Heidelberg 2014 ISBN 978 3 642 36602 4 Siehe auch BearbeitenEigenspannungWeblinks BearbeitenVerfestigungsmechanismen metallischer Werkstoffe abgerufen am 10 November 2016 Modellierung und Simulation kristallplastischer Werkstoffe mit Hilfe von Versetzungsdichten abgerufen am 10 November 2016 Materialtheorie abgerufen am 10 November 2016 Abgerufen von https de wikipedia org w index php title Versetzungsdichte amp oldid 239033430