Scandiumnitrid ScN ist eine anorganische chemische Verbindung aus der Gruppe der Nitride mit dem Metall Scandium und ste

Kristallstruktur
	_ N 0 _ Sc
Allgemeines
Name	Scandiumnitrid
Andere Namen	Azanylidynescandium; Nitridoscandium;
Verhältnisformel	ScN
Kurzbeschreibung	schwarzes Pulver (Handelsform)
Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer	25764-12-9
EG-Nummer	247-247-2
ECHA-InfoCard	100.042.938
PubChem	117629
ChemSpider	105117
Wikidata	Q4321619
Eigenschaften
Molare Masse	58,96 g·mol−1
Aggregatzustand	fest
Dichte	4,4 g·cm−3
Schmelzpunkt	2600 °C
Sicherheitshinweise
	GHS-Gefahrstoffkennzeichnung Gefahr
H- und P-Sätze	H: 228‐302‐315‐319‐332‐335
	P: 210‐240‐241‐261‐280‐301+330+331‐304+340‐305+351+338‐332+313‐370+378‐405‐501
	Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

Scandiumnitrid (ScN) ist eine anorganische chemische Verbindung aus der Gruppe der Nitride mit dem Metall Scandium und stellt einen III-V-Verbindungshalbleiter mit indirekter Bandlücke dar. Scandiumnitrid ist ein Kristall mit kubischer Kristallstruktur, einer Gitterkonstante von 0,451 nm und wird mittels Kristallzucht auf einer Folie aus Wolfram gewonnen. Das Halbleitermaterial weist eine indirekte Bandlücke von 0,9 eV und eine direkte Bandlücke mit 2 eV bis 2,4 eV auf.

Scandiumnitrid wird in der Halbleiterindustrie unter anderem bei elektronischen Bauelementen wie Feldeffekttransistoren als Gate-Material eingesetzt, da es sich gut auf die Isolationsschichten wie Siliziumdioxid (SiO₂) oder Hafniumdioxid (HfO₂) aufbringen lässt. Weiters wird es als Legierungsbestand bei Nichteisenmetallen eingesetzt.

Einzelnachweise Bearbeiten

↑ Scandium Nitride Powder. Heegermaterials, abgerufen am 21. April 2023.
↑ Safety Data Sheet – Scandium Nitride. LTS Research Laboratories, Inc., abgerufen am 21. April 2023.
Zheng Gu, J H Edgar, J Pomeroy, M Kuball, D W Coffey: Crystal Growth and Properties of Scandium Nitride. In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 15. Jahrgang, Nr. 8, August 2004, S. 555–559, doi:10.1023/B:JMSE.0000032591.54107.2c (englisch).
Bidesh Biswas, Bivas Saha: Development of semiconducting ScN. In: Physical Review Materials. 3. Jahrgang, Nr. 2, 14. Februar 2019, doi:10.1103/physrevmaterials.3.020301 (englisch).
Hyundoek Yang, Sungho Heo, Dongkyu Lee, Sangmoo Choi, Hyunsang Hwang: Effective Work Function of Scandium Nitride Gate Electrodes on SiO₂ and HfO₂. In: Japanese Journal of Applied Physics. 45. Jahrgang, Nr. 2, 13. Januar 2006, S. L83–L85, doi:10.1143/JJAP.45.L83 (englisch).

[heeg1-1] Scandium Nitride Powder. Heegermaterials, abgerufen am 21. April 2023.

[lts1-2] Safety Data Sheet – Scandium Nitride. LTS Research Laboratories, Inc., abgerufen am 21. April 2023.

[JMS2004-3] Zheng Gu, J H Edgar, J Pomeroy, M Kuball, D W Coffey: Crystal Growth and Properties of Scandium Nitride. In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 15. Jahrgang, Nr. 8, August 2004, S. 555–559, doi:10.1023/B:JMSE.0000032591.54107.2c (englisch).

[biswas1-4] Bidesh Biswas, Bivas Saha: Development of semiconducting ScN. In: Physical Review Materials. 3. Jahrgang, Nr. 2, 14. Februar 2019, doi:10.1103/physrevmaterials.3.020301 (englisch).

[hyun1-5] Hyundoek Yang, Sungho Heo, Dongkyu Lee, Sangmoo Choi, Hyunsang Hwang: Effective Work Function of Scandium Nitride Gate Electrodes on SiO₂ and HfO₂. In: Japanese Journal of Applied Physics. 45. Jahrgang, Nr. 2, 13. Januar 2006, S. L83–L85, doi:10.1143/JJAP.45.L83 (englisch).