Majoritätsladungsträger ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotierten Halbleiters, die aufgrund der Dotierung häufiger vorkommt als die Minoritätsladungsträger. Bei p-Dotierung sind die Majoritätsladungsträger die Defektelektronen (auch Löcher genannt), bei n-Dotierung sind es die Elektronen.
Je nach Halbleitermaterial und Dotierungselement kann es vorkommen, dass bei Raumtemperatur praktisch alle Donatoren beziehungsweise Akzeptoren ionisiert sind (Störstellenerschöpfung). Dies führt im Fall einer Einfach-Dotierung (nur eine Dotierungsart vorhanden) deutlich größer der Eigenleitungsdichte ( bzw. ) des Halbleiters zu einer Majoritätsladungsträger-Konzentration der (der Defektelektronen) bzw. (der Elektronen) im
- p-Gebiet:
- n-Gebiet:
mit der Eigenleitungsdichte , den Konzentrationen der ionisierten Donator- und Akzeptoratome sowie der Konzentration aller (geladenen und neutralen) Donatoren und Akzeptoren .
Literatur Bearbeiten
- Albrecht Möschwitzer, Klaus Lunze: Halbleiterelektronik. Lehrbuch. 2., bearb. Auflage. Verl. Technik, Berlin 1975, DNB 200142224.
Einzelnachweise Bearbeiten
- ↑ Frank Thuselt: Physik der Halbleiterbauelemente : einführendes Lehrbuch für Ingenieure und Physiker. Springer, Berlin/Heidelberg/New York 2005, ISBN 3-540-22316-9, S. 68 ff.