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Joachim Burghartz Joachim N Burghartz 4 Oktober 1956 in Aachen ist ein deutscher Elektroingenieur und Hochschullehrer In

Joachim Burghartz

Joachim N. Burghartz (* 4. Oktober 1956 in Aachen) ist ein deutscher Elektroingenieur und Hochschullehrer.

Leben Bearbeiten

Joachim Burghartz studierte von 1976 bis 1982 Elektrotechnik an der RWTH Aachen. 1987 promovierte er an der Universität Stuttgart über Laterale Magnetotransistoren. Von 1987 bis 1988 arbeitete Burghartz als Gastwissenschaftler am IBM Thomas J. Watson Research Center in den Vereinigten Staaten, wo er anschließend als Wissenschaftlicher Mitarbeiter tätig war. Bei IBM Research forschte er zunächst an selektiver Siliziumepitaxie, entwickelte anschließend Integrationstechnologien für Bipolartransistoren und trug maßgeblich zur Entwicklung von IBM’s SiGe HBT Technologie bei. Später arbeitete er an integrierten passiven Hochfrequenzkomponenten und insbesondere an integrierten Spulen in Siliziumtechnologien.

1998 wechselte Burghartz auf eine Universitätsprofessur an der TU Delft in den Niederlanden, wo er seine Arbeiten an Siliziumtechnologien für Hochfrequenzanwendungen fortsetzte. Von 2001 bis 2005 war er an der TU Delft Wissenschaftlicher Direktor des Forschungsinstituts DIMES.

Im Jahr 2005 kehrte Burghartz nach Deutschland zurück und leitet seitdem das Institut für Mikroelektronik Stuttgart (IMS CHIPS) und ist als Universitätsprofessor für Mikroelektronik an der Universität Stuttgart tätig. Bei IMS CHIPS arbeitet er unter anderem an Technologien und Aufbautechnik ultra-dünner Chips für Anwendungen in flexibler Elektronik.

Mitgliedschaften und Ehrungen (Auswahl) Bearbeiten

Als zweiter deutscher und europäischer Forscher – nach Adolf Goetzberger im Jahr 1983 – wurde Burghartz 2014 mit dem J. J. Ebers Award der amerikanischen IEEE Electron Devices Society für seine Leistungen bei der Entwicklung von integrierten Spulen auf Silizium-Chips und für seine Arbeiten an ultra-dünnen Chips ausgezeichnet. Dazu erhielt er 2009 den Landesforschungspreis Baden-Württemberg für seine Forschungs- und Verwertungsergebnisse zu ultra-dünnen Chips. Seit 2002 ist Joachim Burghartz Fellow des IEEE.

Veröffentlichungen (Auswahl) Bearbeiten

  • G.L. Patton et al., 75 GHz f-sub-T SiGe-Base Heterojunction Bipolar Transistors, IEEE Electron Device Letters, vol. 11, no. 4, pp. 171–173, April 1, 1990 (1990)
  • Sub-30 ps ECL Circuits Using High-f-sub-T Si and SiGe Epitaxial Base Transistors, in Tech. Dig. International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, CA, USA, December 1, 1990, pp. 297–300 (1990)
  • Identification of Perimeter Depletion and Emitter Plug Effects in Deep-Submicrometer, Shallow-Junction Polysilicon Emitter Bipolar Transistors, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 39, no. 6, pp. 1477–1489, June 1, 1992 (1992)
  • APCVD-Grown Self-Aligned SiGe-Base HBTs (Invited), in Proc. of IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), Minneapolis, MN, USA, (Invited), September 1, 1993, pp. 55–62 (1993)
  • High-Q Inductors in Standard Silicon Interconnect Technology and Application to an Integrated RF Power Amplifier, in Tech. Dig. International Electron Devices Meeting (IEDM), Washington, USA, December 1, 1995, pp. 1015–1018 (1995)
  • Integrated RF Components in a SiGe Bipolar Technology, IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 32, no. 9, pp. 1440–1445, September 1, 1997 (1997)
  • B. Rong et al., Surface-Passivated High-Resistivity Silicon Substrates for RF-IC’s, IEEE Electron Device Letters, vol. 25, no. 4, pp. 176–178, April, 2004, ISSN 0741-3106 (2004)
  • Y. Zhuang et al., Shape-induced ultra-high magnetic anisotropy and ferromagnetic resonance frequency in micropatterned thin NiFe film, Journal of Applied Physics, vol. 99, no. 8, p. 08C705, 2006 (2006)
  • M. Zimmermann et al., A Seamless Ultra-Thin Chip Fabrication and Assembly Process, in Tech. Dig. International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, CA, USA, December, 2006, pp. 1010–1012, ISBN 1-4244-0439-8 (2006)
  • CMOS Imager Technologies for Biomedical Applications (Invited), in ISSCC Digest of Technical Papers, International Solid-State Circuits Conference 2008, San Francisco, CA, USA, (Vortrag), Session 7 / TD: Electronics for Life Scienses / 7.4, invited, February 4, 2008, pp. 142–143, ISBN 978-1-4244-2011-7 (2008)
  • Ultra-Thin Chips and Related Applications, A New Paradigm in Silicon Technology (Plenary Invited Talk), in Proc. of ESSDERC, Athens, Greece, 2009, pp. 29–36.
  • E.A. Angelopoulos et al., Ultra-Thin Chip Technology for System-in-Foil Applications, in Tech. Dig. International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, CA, USA, (Vortrag), December 6, 2010, pp. 2.5.1-2.5.4, ISBN 978-1-4424-7418-5, ISSN 0163-1918 (2010)
  • T. Zaki, et al., A 3.3V 6b 100kS/s Current-Steering D/A Converter Using Organic Thin-Film Transistors on Glass, in Dig. of Tech. Papers ISSCC 2011, San Francisco, CA, USA, 2011, vol. 54, pp. 324–325.
  • S. Endler et al., Two-Dimensional Flex Sensor Exploiting Stacked Ultrathin Chips, IEEE Electron Device Letters, vol. 33, no. 3, pp. 444–446, January 10, 2012 (2012)
  • T. Zaki et al., S-Parameter Characterization of Submicrometer Low-Voltage Organic Thin-Film Transistors, IEEE Electron Device Letters, vol. 34, no. 4, pp. 520–522, April, 2013 (2013)
  • C. Harendt, et al., Hybrid Systems in Foil (HySiF) Exploiting Ultra-thin Flexible Chips, in Proc. of ESSDERC, Venedig, Italien, 2014, no. IEEE Catalog Number: CFP14543-PRT, pp. 210–213.
  • Y. Mahsereci, et al., An Ultra-Thin Flexible CMOS Stress Sensor Demonstrated on an Adaptive Robotic Gripper, in Dig. of Tech. Papers ISSCC 2015, San Francisco, USA, 2015, pp. 1–3.

Literatur (Auswahl) Bearbeiten

  • Guide to State-of-the-Art Electron Devices, Joachim N., Burghartz, ed. Chichester, West Sussex, United Kingdom: John Wiley & Sons Ltd., Apr., 2013.
  • Make Way for Flexible Silicon Chips, IEEE Spectrum, vol. 03 2013, 2013, Feb. 25.
  • Ultra-thin Chip Technology and Applications, Joachim N. Burghartz, ed. Berlin, Germany: Springer, 2010, Dec. 12.
  • De grote en kleine wereld van beeldsensoren, Bits&Chips, 2007, Sep. 28.
  • Quo vadis microelectronics?, Delft, The Netherlands, Intreerede, June 30, 2000, ISBN 90-9014063-8, p. 32 (2000)
  • Passive Components, The Heterostructure Handbook: Materials, Fabrication, Devices, Circuits, and Applications of SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy, J.D. Cressler, ed., Boca Raton, USA, CRC Press, July 1, 2005, Book chapter 3.4, ISBN 0-8493-3559-0, pp. 249–263 (2005)

Einzelnachweise Bearbeiten

  1. J. Burghartz, W. von Münch: Optimization of lateral magnetotransistors with integrated signal amplification. In: Sensors and Actuators. Band 11, Nr. 1, Januar 1987, S. 91–98, doi:10.1016/0250-6874(87)85007-2.
  2. http://domino.research.ibm.com/tchjr/journalindex.nsf/9fe6a820aae67ad785256547004d8af0/50aa11b650eddcdb85256bfa0067fb05!OpenDocument
  3. J.N. Burghartz, J.H. Comfort, G.L. Patton, J.D. Cressler, B.S. Meyerson, J.M.C. Stork, J.Y.-C. Sun, G. Scilla, J. Warnock, B.J. Ginsberg, K. Jenkins, K.-Y. Toh, D.L. Harame, S.R. Mader: Sub-30ps ECL circuits using high-f/sub T/ Si and SiGe epitaxial base SEEW transistors. In: International Technical Digest on Electron Devices. Dezember 1990, S. 297–300, doi:10.1109/IEDM.1990.237171.
  4. J.N. Burghartz, B. Rejaei: On the design of RF spiral inductors on silicon. In: IEEE Transactions on Electron Devices. Band 50, Nr. 3, März 2003, S. 718–729, doi:10.1109/TED.2003.810474.
  5. M. Spirito, F.M. De Paola, L.K. Nanver, E. Valletta, Bifeng Rong, B. Rejaei, L.C.N. de Vreede, J.N. Burghartz: Surface-passivated high-resistivity silicon as a true microwave substrate. In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. Band 53, Nr. 7, Juli 2005, S. 2340–2347, doi:10.1109/TMTT.2005.850435.
  6. http://www.tudelft.nl/en/current/latest-news/article/detail/delftse-microelektronica-en-nanotechnologie-worden-versterkt/
  7. http://www.ims-chips.de/home.php?id=a1b4c2de&adm=
  8. http://www.ines.uni-stuttgart.de/burghartz/index.html
  9. Joachim N. Burghartz, Saleh Ferwana, Christine Harendt: Ultrathin chips for flexible electronics and 3D ICs. In: 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S). Oktober 2015, S. 1–3, doi:10.1109/S3S.2015.7333530.
  10. (Memento des Originals vom 3. Februar 2014 im Internet Archive)  Info: Der Archivlink wurde automatisch eingesetzt und noch nicht geprüft. Bitte prüfe Original- und Archivlink gemäß Anleitung und entferne dann diesen Hinweis.@1@2Vorlage:Webachiv/IABot/eds.ieee.org
  11. (Memento des Originals vom 4. März 2016 im Internet Archive)  Info: Der Archivlink wurde automatisch eingesetzt und noch nicht geprüft. Bitte prüfe Original- und Archivlink gemäß Anleitung und entferne dann diesen Hinweis.@1@2Vorlage:Webachiv/IABot/mwk.baden-wuerttemberg.de (PDF)
  12. http://eds.ieee.org/images/files/Awards/Fellows/2002_EDS_Fellows.pdf
Personendaten
NAME Burghartz, Joachim
ALTERNATIVNAMEN Burghartz, Joachim N.
KURZBESCHREIBUNG deutscher Elektroingenieur
GEBURTSDATUM 4. Oktober 1956
GEBURTSORT Aachen, Deutschland
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Joachim N Burghartz 4 Oktober 1956 in Aachen ist ein deutscher Elektroingenieur und Hochschullehrer Inhaltsverzeichnis 1 Leben 2 Mitgliedschaften und Ehrungen Auswahl 3 Veroffentlichungen Auswahl 4 Literatur Auswahl 5 EinzelnachweiseLeben BearbeitenJoachim Burghartz studierte von 1976 bis 1982 Elektrotechnik an der RWTH Aachen 1987 promovierte er an der Universitat Stuttgart uber Laterale Magnetotransistoren 1 Von 1987 bis 1988 arbeitete Burghartz als Gastwissenschaftler am IBM Thomas J Watson Research Center in den Vereinigten Staaten wo er anschliessend als Wissenschaftlicher Mitarbeiter tatig war Bei IBM Research forschte er zunachst an selektiver Siliziumepitaxie 2 entwickelte anschliessend Integrationstechnologien fur Bipolartransistoren und trug massgeblich zur Entwicklung von IBM s SiGe HBT Technologie bei 3 Spater arbeitete er an integrierten passiven Hochfrequenzkomponenten und insbesondere an integrierten Spulen in Siliziumtechnologien 4 1998 wechselte Burghartz auf eine Universitatsprofessur an der TU Delft in den Niederlanden wo er seine Arbeiten an Siliziumtechnologien fur Hochfrequenzanwendungen fortsetzte 5 Von 2001 bis 2005 war er an der TU Delft Wissenschaftlicher Direktor des Forschungsinstituts DIMES 6 Im Jahr 2005 kehrte Burghartz nach Deutschland zuruck und leitet seitdem das Institut fur Mikroelektronik Stuttgart IMS CHIPS 7 und ist als Universitatsprofessor fur Mikroelektronik an der Universitat Stuttgart tatig 8 Bei IMS CHIPS arbeitet er unter anderem an Technologien und Aufbautechnik ultra dunner Chips fur Anwendungen in flexibler Elektronik 9 Mitgliedschaften und Ehrungen Auswahl BearbeitenAls zweiter deutscher und europaischer Forscher nach Adolf Goetzberger im Jahr 1983 wurde Burghartz 2014 mit dem J J Ebers Award der amerikanischen IEEE Electron Devices Society fur seine Leistungen bei der Entwicklung von integrierten Spulen auf Silizium Chips und fur seine Arbeiten an ultra dunnen Chips ausgezeichnet 10 Dazu erhielt er 2009 den Landesforschungspreis Baden Wurttemberg fur seine Forschungs und Verwertungsergebnisse zu ultra dunnen Chips 11 Seit 2002 ist Joachim Burghartz Fellow des IEEE 12 Veroffentlichungen Auswahl BearbeitenG L Patton et al 75 GHz f sub T SiGe Base Heterojunction Bipolar Transistors IEEE Electron Device Letters vol 11 no 4 pp 171 173 April 1 1990 1990 Sub 30 ps ECL Circuits Using High f sub T Si and SiGe Epitaxial Base Transistors in Tech Dig International Electron Devices Meeting IEDM San Francisco CA USA December 1 1990 pp 297 300 1990 Identification of Perimeter Depletion and Emitter Plug Effects in Deep Submicrometer Shallow Junction Polysilicon Emitter Bipolar Transistors IEEE Transactions on Electron Devices vol 39 no 6 pp 1477 1489 June 1 1992 1992 APCVD Grown Self Aligned SiGe Base HBTs Invited in Proc of IEEE Bipolar BiCMOS Circuits and Technology Meeting BCTM Minneapolis MN USA Invited September 1 1993 pp 55 62 1993 High Q Inductors in Standard Silicon Interconnect Technology and Application to an Integrated RF Power Amplifier in Tech Dig International Electron Devices Meeting IEDM Washington USA December 1 1995 pp 1015 1018 1995 Integrated RF Components in a SiGe Bipolar Technology IEEE Journal of Solid State Circuits vol 32 no 9 pp 1440 1445 September 1 1997 1997 B Rong et al Surface Passivated High Resistivity Silicon Substrates for RF IC s IEEE Electron Device Letters vol 25 no 4 pp 176 178 April 2004 ISSN 0741 3106 2004 Y Zhuang et al Shape induced ultra high magnetic anisotropy and ferromagnetic resonance frequency in micropatterned thin NiFe film Journal of Applied Physics vol 99 no 8 p 08C705 2006 2006 M Zimmermann et al A Seamless Ultra Thin Chip Fabrication and Assembly Process in Tech Dig International Electron Devices Meeting IEDM San Francisco CA USA December 2006 pp 1010 1012 ISBN 1 4244 0439 8 2006 CMOS Imager Technologies for Biomedical Applications Invited in ISSCC Digest of Technical Papers International Solid State Circuits Conference 2008 San Francisco CA USA Vortrag Session 7 TD Electronics for Life Scienses 7 4 invited February 4 2008 pp 142 143 ISBN 978 1 4244 2011 7 2008 Ultra Thin Chips and Related Applications A New Paradigm in Silicon Technology Plenary Invited Talk in Proc of ESSDERC Athens Greece 2009 pp 29 36 E A Angelopoulos et al Ultra Thin Chip Technology for System in Foil Applications in Tech Dig International Electron Devices Meeting IEDM San Francisco CA USA Vortrag December 6 2010 pp 2 5 1 2 5 4 ISBN 978 1 4424 7418 5 ISSN 0163 1918 2010 T Zaki et al A 3 3V 6b 100kS s Current Steering D A Converter Using Organic Thin Film Transistors on Glass in Dig of Tech Papers ISSCC 2011 San Francisco CA USA 2011 vol 54 pp 324 325 S Endler et al Two Dimensional Flex Sensor Exploiting Stacked Ultrathin Chips IEEE Electron Device Letters vol 33 no 3 pp 444 446 January 10 2012 2012 T Zaki et al S Parameter Characterization of Submicrometer Low Voltage Organic Thin Film Transistors IEEE Electron Device Letters vol 34 no 4 pp 520 522 April 2013 2013 C Harendt et al Hybrid Systems in Foil HySiF Exploiting Ultra thin Flexible Chips in Proc of ESSDERC Venedig Italien 2014 no IEEE Catalog Number CFP14543 PRT pp 210 213 Y Mahsereci et al An Ultra Thin Flexible CMOS Stress Sensor Demonstrated on an Adaptive Robotic Gripper in Dig of Tech Papers ISSCC 2015 San Francisco USA 2015 pp 1 3 Literatur Auswahl BearbeitenGuide to State of the Art Electron Devices Joachim N Burghartz ed Chichester West Sussex United Kingdom John Wiley amp Sons Ltd Apr 2013 Make Way for Flexible Silicon Chips IEEE Spectrum vol 03 2013 2013 Feb 25 Ultra thin Chip Technology and Applications Joachim N Burghartz ed Berlin Germany Springer 2010 Dec 12 De grote en kleine wereld van beeldsensoren Bits amp Chips 2007 Sep 28 Quo vadis microelectronics Delft The Netherlands Intreerede June 30 2000 ISBN 90 9014063 8 p 32 2000 Passive Components The Heterostructure Handbook Materials Fabrication Devices Circuits and Applications of SiGe and Si Strained Layer Epitaxy J D Cressler ed Boca Raton USA CRC Press July 1 2005 Book chapter 3 4 ISBN 0 8493 3559 0 pp 249 263 2005 Einzelnachweise Bearbeiten J Burghartz W von Munch Optimization of lateral magnetotransistors with integrated signal amplification In Sensors and Actuators Band 11 Nr 1 Januar 1987 S 91 98 doi 10 1016 0250 6874 87 85007 2 http domino research ibm com tchjr journalindex nsf 9fe6a820aae67ad785256547004d8af0 50aa11b650eddcdb85256bfa0067fb05 OpenDocument J N Burghartz J H Comfort G L Patton J D Cressler B S Meyerson J M C Stork J Y C Sun G Scilla J Warnock B J Ginsberg K Jenkins K Y Toh D L Harame S R Mader Sub 30ps ECL circuits using high f sub T Si and SiGe epitaxial base SEEW transistors In International Technical Digest on Electron Devices Dezember 1990 S 297 300 doi 10 1109 IEDM 1990 237171 J N Burghartz B Rejaei On the design of RF spiral inductors on silicon In IEEE Transactions on Electron Devices Band 50 Nr 3 Marz 2003 S 718 729 doi 10 1109 TED 2003 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