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Als Molded Interconnect Devices oder Mechatronic Integrated Devices 1 MID englisch fur Spritzgegossene Schaltungstrager werden spritzgegossene Kunststoffbauteile mit nach speziellen Verfahren aufgebrachten metallischen Leiterbahnen bezeichnet die als Schaltungstrager fur elektronische bzw mechatronische Baugruppen dienen MIDster Technologiedemonstrator der Forschungsvereinigung Raumliche Elektronische Baugruppen 3 D MID e V zur Verdeutlichung der Potentiale der MID Technologie am Beispiel einer LDS BaugruppeWesentliche Einsatzgebiete fur die MID Technik sind der Automobilbau die Industrieautomatisierung die Medizintechnik die Hausgerateindustrie die Telekommunikationstechnik die Mess und Analysetechnik sowie die Luft und Raumfahrt Das Marktvolumen der MID Technik unterliegt einem stetigen Wachstum Inhaltsverzeichnis 1 Vorteile der MID Technik 2 MID Herstellungsverfahren 2 1 Zweikomponentenspritzguss 2 2 MID Heisspragen 2 3 Laser MID Verfahren 2 3 1 Laser Direkt Strukturierung LDS 2 3 2 Subtraktive Laserstrukturierung 2 4 Maskenbelichtungsverfahren 2 5 Folienhinterspritzen 2 6 Direktes Leiterzugschreiben 2 6 1 Flamecon 2 6 2 Plasmadust 3 Forschungsvereinigung 3 D MID 4 Literatur 5 Weblinks 6 EinzelnachweiseVorteile der MID Technik BearbeitenDie Vorteile der MID Technik liegen sowohl in der verbesserten Gestaltungsfreiheit und Umweltvertraglichkeit als auch in einem Rationalisierungspotenzial bezuglich des Herstellungsprozesses des Endproduktes Die verbesserte Gestaltungsfreiheit und die Integration von elektrischen und mechanischen Funktionen in ein Spritzgussteil kann zu einer Miniaturisierung der Baugruppe fuhren Ausserdem konnen neue Funktionen realisiert und beliebige Formen gestaltet werden Die Rationalisierungspotentiale liegen in der Reduzierung der Teileanzahl Materialeinsparung und der Verkurzung der Prozessketten Des Weiteren kann durch die Reduzierung der Montageschritte die Zuverlassigkeit erhoht werden Durch den Einsatz der MID Technik kann der Materialmix einer Kombination aus Leiterplatte und Mechanikkomponente konventionelle Losung der meist aus vielen Werkstoffen besteht durch ein metallisiertes Kunststoffteil MID ersetzt werden MIDs werden aus rezyklierbaren Thermoplasten hergestellt und sind unkritischer bei der Entsorgung als konventionelle Leiterplatten Das Basismaterial fur eine Leiterplatte ist dagegen im Allgemeinen ein schwer entsorgbarer und nicht rezyklierbarer Duroplast MID Herstellungsverfahren BearbeitenMIDs konnen auf verschiedenste Art gefertigt werden Die wichtigsten Verfahren zur Aufbringung der Leiterbahnen sowie von sendenden bzw schirmenden Flachen sind der Zweikomponentenspritzguss das Heisspragen das Maskenbelichtungsverfahren die Laserstrukturierung und das Folienhinterspritzen Grundsatzlich wird zwischen subtraktiv strukturierenden und additiv metallisierenden Verfahren unterschieden Zweikomponentenspritzguss Bearbeiten Beim Zweikomponentenspritzguss wird das Werkstuck in zwei Spritzgiessetappen engl two shot molding hergestellt Ein Kunststoff bildet den Grundkorper ein weiterer ist metallisierbar und bildet das Leiterbahnlayout ab Es gibt zwei gebrauchliche Methoden das PCK und das SKW Verfahren 2 Beim PCK Verfahren PCK engl Printed Circuit Board Kollmorgen wird fur den einen Schuss ein metallisierbarer nicht elektrisch leitender Kunststoff verwendet Der andere Schuss wird mit einem nicht metallisierbaren Kunststoff ausgefuhrt Je nach Variante werden also die spater leitenden Bereiche Variante a oder die spater nicht leitenden Bereiche Variante b aufgefullt Das SKW Verfahren SKW engl Sankyo Kasei Wiring Board entspricht im Wesentlichen dem PCK Verfahren Variante b es verwendet jedoch zwischen den beiden Spritzgiessetappen einen weiteren Prozesschritt das spater leitende noch freiliegende Strukturteil wird bereits oberflachlich bekeimt das heisst mit einem Katalysator z B Palladium versehen Nach dem zweiten Schuss hat das MID Basisteil seine endgultige Form und es werden in den nachfolgenden Schritten die entsprechenden Metalle auf den metallisierbaren Kunststoff aufgebracht Je nach Verfahren muss nun zunachst die Oberflache des metallisierbaren Kunststoffs aktiviert werden beim SKW Verfahren entfallt dies Auf diese Oberflache wird galvanisch Metall aufgebracht Dazu wird erst eine dunne Kupferschicht chemisch abgeschieden und anschliessend galvanisch verstarkt MID Heisspragen Bearbeiten Das Heissprageverfahren ist ebenfalls ein volladditives Herstellungsverfahren das jedoch mit sehr wenigen Arbeitsschritten auskommt Es besitzt nur eingeschrankte Dreidimensionalitat und es konnen nur einfache Formen hergestellt werden Das Spritzgussteil das die geometrische Endform bereits besitzt wird in eine Pragepresse eingelegt Eine oberflachenmodifizierte Metallfolie wird mit dem Pragewerkzeug gleichzeitig gestanzt und unter Verwendung von Druck und Warme mit dem Spritzling verbunden Die Pragefolien sind mit einer Klebstoffschicht versehen oder haben eine Schwarzoxid Beschichtung die fur die Haftung sorgt Das Heisspragen hat nur wenige Arbeitsschritte und erfordert geringe Investitionen in die Anlagen Laser MID Verfahren Bearbeiten Beim Laser MID Verfahren unterscheidet man die Laser Direkt Strukturierung additiv und die subtraktive Laserstrukturierung Laser Direkt Strukturierung LDS Bearbeiten Die Laser Direkt Strukturierung LDS auch LDS Verfahren genannt wurde 1997 bis 2002 an der Technischen Hochschule Ostwestfalen Lippe in Lemgo erfunden und im Rahmen einer Forschungskooperation mit dem Unternehmen LPKF entwickelt von den Erfindern patentiert und zunachst exklusiv an LPKF lizenziert 2002 wurden die das LDS Verfahren beinhaltenden Patente an die LPKF ubertragen Das LDS Verfahren nutzt einen thermoplastischen Kunststoff dotiert mit einer nichtleitenden laseraktivierbaren Metall Verbindung als Kunststoff Additiv Das Basisbauteil wird im Einkomponenten Spritzguss hergestellt fast ohne Limitierung bezuglich der 3D Gestaltungsfreiheit Ein Laserstrahl schreibt nun die spateren Leiterbahnen auf den Kunststoff Wo der Laserstrahl auf diesen Kunststoff trifft wird oberflachlich die Kunststoffmatrix in fluchtige Spaltprodukte zersetzt also geringfugig abgetragen Gleichzeitig werden aus dem Additiv Metallkeime abgespalten die feinst verteilt in der rauen Oberflache liegen Diese Metallpartikel katalysieren die nachfolgende chemisch reduktive Kupfermetallisierung Darauf lassen sich dann galvanisch Schichten aus Kupfer Nickel oder ein Goldfinish aufbringen Siehe auch Kunststoffmetallisieren Das LDS Verfahren erreicht bei entsprechender Laserstrahlfuhrung volle Dreidimensionalitat in einer Kugelsphare Es ist hochflexibel fur einen geanderten Verlauf der Leiterbahnen mussen nur neue Steuerdaten an die Lasereinheit ubermittelt werden Damit konnen aus einem Basisbauteil verschiedene Funktionsbauteile entstehen Feinste Leiterbahnen mit einer Breite von lt 100 µm sind moglich 3 Darauf konnen deshalb sogar integrierte Schaltkreise mit der Flip Chip Montage platziert werden Mit einem speziellen mit LDS Additiv dotierten Lack lassen sich beliebige Korper beschichten und strukturieren Wird also ein Bauteil z B in einem 3D Drucker aus fur das Laserstrukturieren ungeeigneter Plaste aufgebaut und mit dem LDS Lack beschichtet kann dennoch die Laser Direkt Strukturierung erfolgen Die so erstellten Bauteile dienen z B als Funktionsmuster oder Prototyp Subtraktive Laserstrukturierung Bearbeiten Bei der subtraktiven Laserstrukturierung wird die gesamte Bauteiloberflache metallisiert und anschliessend Atzresist aufgetragen Mit Hilfe des Lasers wird der Atzresist strukturiert und die freigelegte Kupferschicht weggeatzt Maskenbelichtungsverfahren Bearbeiten Das Verfahren entspricht dem konventionellen fotochemischen Herstellungsverfahren fur Leiterplatten Nach dem Spritzgiessen des Kunststoffteils und der Oberflachenaktivierung erfolgt zunachst ganzflachig eine chemische Grundmetallisierung mit einer dunnen Kupferschicht Darauf wird ein Fotolack aufgebracht Das Belichten mit Ultraviolett erfolgt durch eine gekrummte Photomaske Der belichtete Photolack wird entwickelt und entfernt und im nachsten Schritt wird die freigelegte Leiterbahngeometrie bis zur gewunschten Schichtdicke galvanisch verstarkt Nach Entfernen des verbliebenen Photoresists wird die Grundmetallisierung weggeatzt Das Maskenbelichtungsverfahren erfordert viele Prozessschritte und ist wenig flexibel Es ist nur eingeschrankt 3D fahig jedoch sind feinste Leiterbahnbreiten wie bei konventionellen Leiterplatten moglich Folienhinterspritzen Bearbeiten Beim Folienhinterspritzen wird eine separat hergestellte ein oder mehrlagige flexible Leiterbildfolie in ein Spritzgusswerkzeug eingelegt und mit geeigneten Kunststoffen hinterspritzt Das Folienhinterspritzen erlaubt den Strukturierungsprozess vor dem Spritzgiessen Es hat wenige Prozessschritte und beliebige Plastematerialien konnen verwendet werden Direktes Leiterzugschreiben Bearbeiten Wesentliche Vorteile der direkten Verfahren sind die chemie und maskenfreie Herstellung sowie die hohe Flexibilitat es lassen sich durch geanderte Bahnsteuerung auch Einzelexemplare kostengunstig herstellen Im Folgenden sind beispielhaft zwei der Verfahren genannt Flamecon Bearbeiten Beim sogenannten Flamecon Verfahren wird Kupfer aufgeschmolzen und mit Druckluft oder Schutzgas auf die Tragermaterialien aufgespritzt Zur Verbesserung der Strukturscharfe und kanten wird vorher strukturiert ein Haftvermittler aufgetragen sodass nur dort Material haftet So kann das mit Primer vorstrukturierte Bauteil angeblich auch durch eine Metallschmelze gezogen werden um die Leiterzuge aufzubringen Das Verfahren ist hinsichtlich der Substrate und Strukturierung ein optimiertes thermisches Spritzverfahren ahnlich dem Flammspritzen und gestattet Leiterzugbreiten gt 1 mm und Schichtdicken Plasmadust Bearbeiten Das sogenannte Plasmadust Verfahren verwendet ein nichtthermisches Plasma bei Normaldruck zusammen mit sehr feinem Metallpulver 100 nm bis 20 µm Gegenuber dem konventionellen Plasmaspritzen ist die Plasmatemperatur so gering dass Thermoplaste beschichtet werden konnen Die Oberflache wird durch das Plasma aktiviert dadurch haften die Schichten gut Forschungsvereinigung 3 D MID BearbeitenDie Forschungsvereinigung Raumliche Elektronische Baugruppen 3 D MID e V wurde 1993 in Erlangen gegrundet Ziel der Forschungsvereinigung ist die Forderung und Weiterentwicklung der MID Technologie Dazu werden Projekte zur Gemeinschaftsforschung durchgefuhrt der Erfahrungsaustausch unter den Mitgliedern gefordert und durch geeignete Offentlichkeitsarbeit die Umsetzung der neuen technischen Moglichkeiten angeregt Ein besonderes Anliegen ist die Unterstutzung kleiner und mittelstandischer Unternehmen Mit 65 Mitgliedsfirmen und 34 Forschungsinstituten der grosste industrielle Forschungsverbund im Bereich der 3D MID Technologie weltweit Literatur BearbeitenJ Franke Hrsg Raumliche elektronische Baugruppen 3D MID Werkstoffe Herstellung Montage und Anwendungen fur spritzgegossene Schaltungstrager Hanser Munchen 2013 Elektronik Sonderausgabe Raumliche elektronische Baugruppen WEKA Verlag 2011 J Franke J Gausemeier C Goth R Dumitrescu MID Studie 2011 Markt und Technologieanalyse Paderborn 2011 H Wissbrock Laser Direkt Strukturieren von Kunststoffen ein neuartiges Verfahren im Spiegel eingefuhrter MID Technologien In Kunststoffe 11 2002 Vol 92 S 101 105 G Naundorf H Wissbrock Leiterbahnstrukturen und Verfahren zu ihrer Herstellung Patent WO 2003005784 2001 Weblinks Bearbeitenwww 3d mid de Offizielle Website der Forschungsvereinigung 3 D MIDEinzelnachweise Bearbeiten Jorg Franke Three Dimensional Molded Interconnect Devices 3D MID Hanser Munchen 2014 ISBN 978 1 56990 551 7 S V Irene Fassi David Shipley Micro Manufacturing Technologies and Their Applications Springer Verlag 2017 295 Seiten S 181f https www plasticsportal net wa plasticsEU de DE function conversions publish common upload technical journals electronics and mechatronics Laser Direkt Strukturierung von MID Bauteilen pdf Reinhard Stransky Nils Heininger Wolfgang John Hans Jurgen Bossler Direkt aufs Bauteil Zeitschrift PLASTVERARBEITER Jahrg 56 2005 Nr 4 S 62f Abgerufen von https de wikipedia org w index php title Molded Interconnect Devices amp oldid 231481860 Laser Direkt Strukturierung LDS