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John N Shive John Northrup Shive 22 Februar 1913 in Baltimore 1 Juni 1984 war ein US amerikanischer Physiker und Erfinde

John N. Shive

John Northrup Shive (* 22. Februar 1913 in Baltimore; † 1. Juni 1984) war ein US-amerikanischer Physiker und Erfinder.

Er wuchs auf in New Jersey, erwarb 1934 seinen B.S. in Physik und Chemie an der Rutgers University und 1939 seinen Ph.D. an der Johns Hopkins University mit einer Arbeit zur Modulation von Geigerzählern (Practice and theory of the modulation of Geiger counters). Ab 1939 war er an den Bell Laboratories.

An den Bell Laboratories forschte er über Halbleiter und experimentierte 1948 mit Spitzentransistoren. Dabei entdeckte er auch bei Experimenten mit Goldelektroden auf beiden Seiten einer dünnen Germaniumschicht (Dicke 0,01 cm), dass Defektelektronen durch das Material (und nicht nur an der Oberfläche) diffundieren. Er gab dies am 18. Februar 1948 intern in den Bell Labs bekannt. Das war eine wesentliche Bestätigung für die Praktikabilität eines Transistors aus zwei pn-Übergängen (junction transistor), eine Idee, die von William Bradford Shockley an den Bell Labs kurz zuvor entwickelt worden war, aber die er noch für sich behalten hatte, bis die Entdeckung von Shive ihn veranlasste, sie aufzudecken. Shockley und J. Richard Haynes zeigten bald nach Shive, dass es sich tatsächlich um positive Minoritätsladungsträger im n-Typ Germanium handelte. Seite an Seite zu diesem Artikel erschien in Physical Review der Artikel von Shive.

1948 erfand er den Phototransistor, bekannt gemacht wurde er erst am 30. März 1950 durch Bell Laboratories. Sie befanden sich damals noch in der Entwicklung und wurden von Bell Laboratories 1953 in Lochkartenlesern in Telefonvermittlungen eingesetzt.

Später war er Direktor der Abteilung Education and Training bei Bell Labs und erfand hier eine Wellenmaschine, die später in viele Physik-Sammlungen von Demonstrationsexperimenten und Wissenschafts-Museen Eingang fand. Bell Labs gab darüber 1959 einen Film heraus und später ein Begleitbuch.

Wellenmaschine nach Shive

Er war Fellow der American Physical Society und der American Association for the Advancement of Science.

Schriften Bearbeiten

  • The Properties, Physics and Design of Semiconductor Devices. Van Nostrand, Princeton, N.J. 1959.
  • Similarities of Wave Behavior. 1961 (erstellt für die Bell Telephone Laboratories zu Schulungszwecken).
  • Physics of Solid State Electronics. C.E. Merrill, Columbus, Ohio 1966.
  • mit Robert L. Weber: Similarities in Physics. Wiley, 1982, ISBN 0-85274-540-0.

Weblinks Bearbeiten

Einzelnachweise Bearbeiten

  1. Shockley äußerte sich selbst so 1976 in The path to the conception of the junction transistor. In: IEEE Transactions on Electron Devices. Band 23, Nr. 7, Juli 1976, S. 597–620, doi:10.1109/T-ED.1976.18463.
  2. J. R. Haynes, W. Shockley: Investigation of Hole Injection in Transistor Action. In: Physical Review. Band 75, Nr. 4, 15. Februar 1949, S. 691–691, doi:10.1103/PhysRev.75.691.
  3. John N. Shive: The Double-Surface Transistor. In: Physical Review. Band 75, Nr. 4, 15. Februar 1949, S. 689–690, doi:10.1103/PhysRev.75.689.
  4. Die Geschichte ist auch dargestellt in Michael Riordan, Lillian Hoddeson, Conyers Herring: The invention of the transistor. In: Rev. Mod. Phys. Band 71, Heft 2 (Centenary Edition), 1999, S336–S345, besonders S341 f., doi:10.1103/RevModPhys.71.S336
Personendaten
NAME Shive, John N.
ALTERNATIVNAMEN Shive, John Northrup (vollständiger Name)
KURZBESCHREIBUNG US-amerikanischer Physiker und Erfinder
GEBURTSDATUM 22. Februar 1913
GEBURTSORT Baltimore
STERBEDATUM 1. Juni 1984
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Veröffentlichungsdatum:
John Northrup Shive 22 Februar 1913 in Baltimore 1 Juni 1984 war ein US amerikanischer Physiker und Erfinder Er wuchs auf in New Jersey erwarb 1934 seinen B S in Physik und Chemie an der Rutgers University und 1939 seinen Ph D an der Johns Hopkins University mit einer Arbeit zur Modulation von Geigerzahlern Practice and theory of the modulation of Geiger counters Ab 1939 war er an den Bell Laboratories An den Bell Laboratories forschte er uber Halbleiter und experimentierte 1948 mit Spitzentransistoren Dabei entdeckte er auch bei Experimenten mit Goldelektroden auf beiden Seiten einer dunnen Germaniumschicht Dicke 0 01 cm dass Defektelektronen durch das Material und nicht nur an der Oberflache diffundieren Er gab dies am 18 Februar 1948 intern in den Bell Labs bekannt Das war eine wesentliche Bestatigung fur die Praktikabilitat eines Transistors aus zwei pn Ubergangen junction transistor eine Idee die von William Bradford Shockley an den Bell Labs kurz zuvor entwickelt worden war aber die er noch fur sich behalten hatte bis die Entdeckung von Shive ihn veranlasste sie aufzudecken 1 Shockley und J Richard Haynes zeigten bald nach Shive dass es sich tatsachlich um positive Minoritatsladungstrager im n Typ Germanium handelte 2 Seite an Seite zu diesem Artikel erschien in Physical Review der Artikel von Shive 3 4 1948 erfand er den Phototransistor bekannt gemacht wurde er erst am 30 Marz 1950 durch Bell Laboratories Sie befanden sich damals noch in der Entwicklung und wurden von Bell Laboratories 1953 in Lochkartenlesern in Telefonvermittlungen eingesetzt Spater war er Direktor der Abteilung Education and Training bei Bell Labs und erfand hier eine Wellenmaschine die spater in viele Physik Sammlungen von Demonstrationsexperimenten und Wissenschafts Museen Eingang fand Bell Labs gab daruber 1959 einen Film heraus und spater ein Begleitbuch Wellenmaschine nach ShiveEr war Fellow der American Physical Society und der American Association for the Advancement of Science Schriften BearbeitenThe Properties Physics and Design of Semiconductor Devices Van Nostrand Princeton N J 1959 Similarities of Wave Behavior 1961 erstellt fur die Bell Telephone Laboratories zu Schulungszwecken Physics of Solid State Electronics C E Merrill Columbus Ohio 1966 mit Robert L Weber Similarities in Physics Wiley 1982 ISBN 0 85274 540 0 Weblinks BearbeitenInvention history of phototransistor and photodiode circuits todayEinzelnachweise Bearbeiten Shockley ausserte sich selbst so 1976 in The path to the conception of the junction transistor In IEEE Transactions on Electron Devices Band 23 Nr 7 Juli 1976 S 597 620 doi 10 1109 T ED 1976 18463 J R Haynes W Shockley Investigation of Hole Injection in Transistor Action In Physical Review Band 75 Nr 4 15 Februar 1949 S 691 691 doi 10 1103 PhysRev 75 691 John N Shive The Double Surface Transistor In Physical Review Band 75 Nr 4 15 Februar 1949 S 689 690 doi 10 1103 PhysRev 75 689 Die Geschichte ist auch dargestellt in Michael Riordan Lillian Hoddeson Conyers Herring The invention of the transistor In Rev Mod Phys Band 71 Heft 2 Centenary Edition 1999 S336 S345 besonders S341 f doi 10 1103 RevModPhys 71 S336Normdaten Person LCCN n83056329 VIAF 108729244 Wikipedia Personensuche Kein GND Personendatensatz Letzte Uberprufung 2 November 2017 GND Namenseintrag 113459025 AKS PersonendatenNAME Shive John N ALTERNATIVNAMEN Shive John Northrup vollstandiger Name KURZBESCHREIBUNG US amerikanischer Physiker und ErfinderGEBURTSDATUM 22 Februar 1913GEBURTSORT BaltimoreSTERBEDATUM 1 Juni 1984 Abgerufen von https de wikipedia org w index php title John N Shive amp oldid 237840181